Перегляд за Автор "Ptashchenko, Fedir O."
Зараз показуємо 1 - 13 з 13
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ EFFECT OF AMMONIA VAPORS ON THE SURFACE CURRENT IN SILICON P-N JUNCTIONS(Астропринт, 2007) Ptashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Yemets, O. V.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Олександр ОлександровичI V characteristics of forward and reverse currents in silicon p-n junctions were measured in air, in air with ammonia vapors at several partial pressures of NH3, as well as in air after ammonia vapors treatment. The influence of adsorbed ammonia molecules on the forward current is explained by such processes: a) an increase in the surface re- combination rate, caused by the electric field of ammonia ions, which are localized on the external side of the natural oxide layer; b) etching out some surface recombination states. The changes in the forward and reverse currents are reversible, so silicon p-n junctions can be used as ammonia vapors sensors.Документ EFFECT OF AMBIENT ATMOSPHERE ON THE SURFACE CURRENT IN SILICON P-N JUNCTIONS(Астропринт, 2009) Ptashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Yemets, O. V.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Емец, Е. В.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Ємець, О. В.The influence of ammonia, water and ethylene vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents, as well as on the kinetics of the surface current in silicon p-n structures was studied. All these vapors enhance both the forward and reverse currents. The gas sensitivity of p-n structures at forward biases is due to enhanced surface recombination, while at reverse biases a surface conductive channel shorts the p-n junction. The sensitivity to ammonia is much higher than to other vapors. It is explained as a result of donor properties of NH molecules. The response time of silicon p-n junctions as gas sensors at room temperature is below 60s. Исследовано влияние паров аммиака, воды и этилена на ВАХ прямого и обратного токов, а также на кинетику поверхностного тока в кремниевых p-n структурах. Все указанные пары повышают и прямой, и обратный токи. Газовая чувствительность p-n структур при прямом смещении обусловлена ростом интенсивности поверхностной рекомбинации, а при обратном смещении проводящий канал закорачивает p-n переход. Чувствительность к аммиаку значительно выше, чем к другим парам. Это объясняется донорными свойствами молекул NH3. Время срабатывания кремниевых p-n переходов как газовых сенсоров при комнатной температуре не превышает 60 с. Досліджено вплив парів аміаку, води і етилену на ВАХ прямого і зворотного струмів, а також на кінетику поверхневого струму в кремнієвих p-n структурах. Всі указані пари підвищують і прямий, і зворотний струми. Газова чутливість p-n структур при прямому зміщенні обумовлена зростанням інтенсивності поверхневої рекомбінації, а при зворотному зміщенні провідний канал закорочує p-n перехід. Чутливість до аміаку значно вища, ніж до інших парів. Це пояснюється донорними властивостями молекул NH3. Час спрацювання кремнієвих p-n переходів як газових сенсорів при кімнатній температурі не перевищує 60 с.Документ EFFECT OF AMMONIA VAPORS ON THE BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF Si AND GaAs P-N JUNCTIONS(Одесский национальный университете имени И. И. Мечникова, 2012) Ptashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Gilmutdinova, Valeriia R.; Dovganyuk, G. V.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Гільмутдінова, Валерія Рафаїлівна; Довганюк, Г. В.; Гильмутдинова, Валерия Рафаэловна; Птащенко, Александр АлександровичThe influence of ammonia and water vapors on I-V characteristics of the reverse currents in Si and GaAs p-n junctions was studied. At most of the studied samples, the ammonia- and water vapors lover the breakdown voltage. At some devices an opposite effect was observed. This difference is due to dominance of different surface centers, which have donor or acceptor properties. And some p-n junctions exhibit a fixed breakdown voltage independently on the presence of ammonia and water vapors. This is due to the bulk location of the breakdown in these samples. Thus, the influence of ammonia vapors on the breakdown voltage provides some information on the localization of the breakdown and on the charge state of surface centersДокумент Effect of Ammonia Vapors on The Surface Morphology and Surface Current in p - n-Junctions ON GaP(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005) Ptashchenko, Oleksandr O.; Artemenko, O. S.; Dmytruk, M. L.; Masleyeva, N. V.; Ptashchenko, Fedir O.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Олександр ОлександровичI—V characteristics of forward and reverse currents in GaP p—л-junctions were measured in air, in air with ammonia vapors at several partial pressures of NH3, as well as in air after ammonia vapors treatment. The influence of adsorbed ammonia molecules on the forward current is explained by such processes: formation of a surface conducting channel in GaP, caused by the electric field of ammonia ions, which are located on the external side of the natural oxide layer; double injection into this channel; destroying of the conducting channel at high injection levels. Laser ellipsometry showed that the refractivity of the oxide layer on GaP is not changed by ammonia vapors treatment, while the thickness of this layer increases. Atomic force microscope investigation demonstrated that the ammonia vapors modify the morphology of the oxide layer.Документ Effect of deep centers on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctions(Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2014) Ptashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Gilmutdinova, Valeriia R.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Гільмутдінова, Валерія Рафаїлівна; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Гильмутдинова, Валерия РафаэловнаThe time-dependence of the surface current in GaAs p-n structures after placing in concentrated wet ammonia vapors was studied. It is sown that the slope of measured current-time curves is non- monotonous. This effect is explained with taking into account presence of deep surface levels, which are filled, when the quasi-Fermi level is moving to the conduction band. An analysis of time-resolved measurements of surface current in GaAs p-n structures in wet ammonia vapors enabled to estimate depths of some surface levels. The depths of the main revealed surface levels are 0,206 eV, 0,185 eV, and 0,176 eV from с-band. In the interval of depths 0,176 eV - 0,185 eV surface levels are continuously distributed with practically constant density.Документ EFFECT OF SULPHUR ATOMS ON SURFACE CURRENT IN GAAS P-N JUNCTIONS(Астропринт, 2008) Ptashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Masleyeva, N. V.; Bogdan, O. V.; Shugarova, V. V.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Маслєєва, Наталя Володимирівна; Богдан, О. В.; Шугарова, В. В.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Маслеева, Наталья Владимировна; Богдан, О. В.; Шугарова, В. В.Sulphur atoms passivation of GaAs surface and its influence on I-V characteristics of forward and reverse currents, photocurrent spectrum, and sensitivity of GaAs p-n structures as gas sensors were studied. The passivation reduces the excess forward current and reverse current in p-n junctions, enhances the photosensitivity in the spectral region of strong absorption, substantially increases the sensitivity to ammonia vapors. All these effects are explained, taking into account lowering of the surface states density as a result of sulphur atoms deposition. Досліджено пасивацію поверхні GaAs атомами сірки та її вплив на ВАХ прямого і зворотного струмів, спектр фотоструму і чутливість p-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів. Пасивація зменшує надлишковий прямий струм та зворотний струм у p-n переходах, підвищує фоточутливість у спектральній області сильного поглинання, суттєво збільшує чутливість до парів аміаку. Всі ці явища пояснюються зменшенням щільності поверхневих станів у результаті нанесення на поверхню атомів сірки. Исследованы пассивация поверхности GaAs атомами серы и ее влияние на ВАХ прямого и обратного токов, спектр фототока и чувствительность p-n переходов на основе GaAs как газовых сенсоров. Пассивация уменьшает избыточный прямой ток и обратный ток в p-n переходах, повышает фоточувствительность в спектральной области сильного поглощения, существенно повышает чувствительность к парам аммиака. Все эти явления объясняются уменьшением плотности поверхностных состояний в результате нанесения на поверхность атомов серы.Документ Effect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctions(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2017) Ptashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Gilmutdinova, Valeriia R.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Олександр ОлександровичSupplement to the article published in Photoelectronics. – 2016. – № 25. – P. 126–131.Документ Effect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctions(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2016) Ptashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Gilmutdinova, Valeriia R.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Гільмутдінова, Валерія Рафаїлівна; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Гильмутдинова, Валерия РафаэловнаThe time-resolved surface current in an n-conducting channel, due to ammonia and water molecules adsorption in GaAs p-n structures was studied. It is shown that the presence of water vapors in the ambient atmosphere strongly affects the current decay curves after the ammonia vapors removal.The results are explained in terms of a simple model taking into account a dynamic equilibrium between the free electrons in the conducting channel and electrons on slow surface centers. Each decay curve exponential component is due to the emptying of corresponding centers. The characteristic time of a current decay curve exponential component is determined by the depth and density of the corresponding surface levels, as well as the conducting channel thickness.Документ NEGATIVE SENSITIVITY OF SILICON p—n JUNCTIONS AS GAS SENSORS(Astroprint, 2011) Ptashchenko, Fedir O.; Ptashchenko, Oleksandr O.; Dovganyuk, G. V.; Птащенко, Федір Олександрович; Птащенко, Олександр Олександрович; Довганюк, Г. В.; Птащенко, Федор Александрович; Птащенко, Александр Александрович; Довганюк, Г. В.The influence of ammonia vapors on I—V characteristics of the forward and reverse currents in silicon p—n junctions with different doping levels was studied.Some samples had anomalous high forward and reverse currents.They had negative sensitivity to ammonia vapors.The forward and reverse currents decreased with increasing ammonia partial pressure in the ambient atmosphere.This effect is explained under an assumption that some ionized acceptor centers are present on the n-region surface and form a surface conductive channel,which shorts the p—n junction. Adsorption of ammonia molecules,which are donors in Si,compensates the surface acceptors and diminish the conductivity of the channel.Документ SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS, PASSIVATED BY SULPHUR ATOMS(Астропринт, 2009) Ptashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Masleyeva, N. V.; Bogdan, O. V.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Маслеева, Наталья Владимировна; Богдан, О. В.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Маслєєва, Наталя Володимирівна; Богдан, О. В.Influence of the storage (low-temperature annealing) of sulphur-passivated GaAs p-n structures in a neutral (helium) atmosphere at room temperature on I-V characteristics of forward and reverse currents was studied. The storage strongly reduces the excess forward current and the reverse current in p-n junctions. The ideality coefficient of I-V characteristics decreases with the storage. This effect has two stages. It is showed that all these phenomena can be explained by lowering of the surface recombination centers density and reduction of the electrically active centers concentration in the surface depletion layer. Исследовано влияние хранения (низкотемпературного отжига) пассивированных атомами серы p-n переходов на основе GaAs в нейтральной атмосфере (в гелии) при комнатной температуре на ВАХ прямого и обратного токов. При хранении существенно уменьшаются прямой избыточный ток и обратный ток в p-n переходах. Коэффициент идеальности ВАХ уменьшается в процессе хранения. Этот процесс двухстадийный. Показано, что все эти явления можно объяснить уменьшением плотности поверхностных центров рекомбинации и уменьшением концентрации электрически активных центров в поверхностном обедненном слое. Досліджено вплив зберігання (низькотемпературного відпалу) пасивованих атомами сірки p-n переходів на основі GaAs у нейтральній атмосфері (в гелії) при кімнатній температурі на ВАХ прямого і зворотного струмів. При зберіганні значно зменшуються надлишковий прямий струм та зворотний струм у p-n переходах. Коефіцієнт ідеальності ВАХ зменшується процесі зберігання. Даний процес є двостадійний. Показано, що всі ці явища можна пояснити зменшенням щільності поверхневих центрів рекомбінації та зменшенням концентрації електрично активних центрів у поверхневому збідненому шарі.Документ TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS INDUCED BY AMMONIA MOLECULES ADSORPTION(Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2013) Ptashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Gilmutdinova, Valeriia R.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Гільмутдінова, Валерія Рафаїлівна; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Гильмутдинова, Валерия РафаэловнаThe effect of a treatment in concentrated wet ammonia vapors on I-V characteristics of GaAs p-n junctions, measured in air and in ammonia vapors, was studied. Such a treatment strongly enhances the sensitivity of the surface current to the water- and ammonia vapors. In ammonia vapors of high enough partial pressure, a maximum in the forward branch of I-V characteristic appeared. The treated p-n junctions have higher gas sensitivity at reverse bias than at forward bias. This suggests that ammonia molecules adsorption, under sufficiently high NH3 partial pressure, forms in the p-n junction a surface conducting channel with degenerated electrons. And the observed maximum in the I-V characteristic is explained by tunnel injection of electrons from the conducting channel to the degenerated p+ region.Документ TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs–AlGaAs P-N JUNCTIONS, DUE TO AMMONIA MOLECULES ADSORPTION(Астропринт, 2009) Ptashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Shugarova, V. V.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Шугарова, В. В.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Шугарова, В. В.The influence of ammonia vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents and kinetics of surface currents in GaAs- AlGaAs p-n junctions with degenerated p+ region was studied. It is shown that ammonia molecules adsorption, under sufficiently high NH3 partial pressure, forms in p-AlGaAs a surface conducting channel with degenerated electrons. P-n junctions with degenerated p+ region have higher gas sensitivity at reverse bias than at forward bias. This effect is explained by tunnel injection of electrons into the conducting channel from the degenerated p+ region at a reverse bias. The rise time of the surface current in an ammonia vapor atmosphere of ~20 s is due to filling up deep electron traps. Исследовано влияние паров аммиака на ВАХ прямого и обратного токов и на кинетику поверхностных токов в p-n переходах на основе GaAs-AlGaAs с вырожденной p+ областью. Показано, что адсорбция молекул аммиака при достаточно высоком парциальном давлении NH3 создает в p-AlGaAs поверхностный проводящий канал с вырожденными электронами. P-n переходы с вырожденной p+ областью имеют более высокую газовую чувствительность при обратном смещении, чем при прямом смещении. Этот эффект объясняется туннельной инжекцией электронов в проводящий канал из вырожденной p+ области при обратном смещении. Время нарастания поверхностного тока ~20 с в парах аммиака связано с заполнением глубоких электронных ловушек. Досліджено вплив парів аміаку на ВАХ прямого і зворотного струмів та на кінетику поверхневих струмів у p-n переходах на основі GaAs-AlGaAs з виродженою p+ областю. Показано, що адсорбція молекул аміаку при достатньо високому парціальному тиску NH3 створює в p-AlGaAs поверхневий провідний канал з виродженими електронами. P-n переходи з виродженою p+ областю мають вищу газову чутливість при зворотному зміщенні, ніж при прямому зміщенні. Цей ефект пояснюється тунельною інжекцією електронів в провідний канал із виродженої p+ області при зворотному зміщенні. Час наростання поверхневого струму ~20 с в парах аміаку пов’язаний із заповненням глибоких електронних пасток.Документ Tunnel surface recombination in p—n junctions(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2001) Ptashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Олександр ОлександровичCurrent—voltage curves were measured on AlGaAs-GaAs laser double heterostructures at temperatures of 77...300 K. The exponential sections of I—V curves correspond to the ideality factor nt < 2 at room temperature, which increases with lowering temperature. The I—V curves of surface recombination current were calculated under assumptions that: a) majority carriers tunneled to the surface and were captured to surface states; b) minority carriers were captured by surface states «classically»; c) the change in quasi Fermi level for minority carriers in surface depletion channel linearly depended on the surface barrier height. The obtained expression for I—V curves explains the features of measured current-voltage characteristics of laser heterostructures.