TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS INDUCED BY AMMONIA MOLECULES ADSORPTION
Альтернативна назва
ТУНЕЛЬНИЙ ПОВЕРХНЕВИЙ СТРУМ В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GaAs, ІНДУКОВАНИЙ АДСОРБЦІЄЮ МОЛЕКУЛ АМІАКУ
ТУННЕЛЬНЫЙ ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВЕ GaAs, ИНДУЦИРОВАННЫЙ АДСОРБЦИЕЙ МОЛЕКУЛ АММИАКА
ТУННЕЛЬНЫЙ ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВЕ GaAs, ИНДУЦИРОВАННЫЙ АДСОРБЦИЕЙ МОЛЕКУЛ АММИАКА
Вантажиться...
Дата
2013
Автори
Ptashchenko, Oleksandr O.
Ptashchenko, Fedir O.
Gilmutdinova, Valeriia R.
Птащенко, Олександр Олександрович
Птащенко, Федір Олександрович
Гільмутдінова, Валерія Рафаїлівна
Птащенко, Александр Александрович
Птащенко, Федор Александрович
Гильмутдинова, Валерия Рафаэловна
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова
Анотація
The effect of a treatment in concentrated wet ammonia vapors on I-V characteristics of GaAs p-n junctions, measured in air and in ammonia vapors, was studied. Such a treatment strongly enhances the sensitivity of the surface current to the water- and ammonia vapors. In ammonia vapors of high enough partial pressure, a maximum in the forward branch of I-V characteristic appeared. The treated p-n junctions have higher gas sensitivity at reverse bias than at forward bias. This suggests that ammonia molecules adsorption, under sufficiently high NH3 partial pressure, forms in the p-n junction a surface conducting channel with degenerated electrons. And the observed maximum in the I-V characteristic is explained by tunnel injection of electrons from the conducting channel to the degenerated p+ region.
Досліджено вплив обробки у концентрованих вологих парах аміаку на BAX p-n переходів на основі GaAs, виміряних у повітрі та в парах аміаку. Така обробка різко підвищує чутливість поверхневого струму до парів води та аміаку. В парах аміаку достатньо високого парціального тиску з’являється максимум на ВАХ. Оброблені p-n переходи мають більш високу газову чутливість при зворотному зміщенні, ніж при прямому зміщенні. Це свідчить, що адсорбція молекул аміаку , при достатньо високих значеннях парціального тиску NH3, створює в p-n переході поверхневий провідний канал з виродженими електронами. І наявність спостереженого максимуму на ВАХ пояснюється тунельною інжекцією електронів із провідного каналу у вироджену p+ область.
Исследовано влияние обработки в концентрированных влажных парах аммиака на ВАХ р-п переходов на основе GaAs, измеренных в воздухе и в парах аммиака. Такая обработка резко повышает чувствительность поверхностного тока к парам воды и аммиака. В парах аммиака с достаточно высоким парциальным давлением появляется максимум на ВАХ. Обработанные р-п переходы имеют более высокую газовую чувствительность при обратном смещении, чем при прямом смещении. Это свидетельствует, что адсорбция молекул аммиака , при достаточно высоких значениях парциального давления NH3, создает в р-п переходе поверхностный проводящий канал с вырожденными электронами. И появление максимума на ВАХ объясняется туннельной инжекцией электронов из проводящего канала в вырожденную р+ область.
Досліджено вплив обробки у концентрованих вологих парах аміаку на BAX p-n переходів на основі GaAs, виміряних у повітрі та в парах аміаку. Така обробка різко підвищує чутливість поверхневого струму до парів води та аміаку. В парах аміаку достатньо високого парціального тиску з’являється максимум на ВАХ. Оброблені p-n переходи мають більш високу газову чутливість при зворотному зміщенні, ніж при прямому зміщенні. Це свідчить, що адсорбція молекул аміаку , при достатньо високих значеннях парціального тиску NH3, створює в p-n переході поверхневий провідний канал з виродженими електронами. І наявність спостереженого максимуму на ВАХ пояснюється тунельною інжекцією електронів із провідного каналу у вироджену p+ область.
Исследовано влияние обработки в концентрированных влажных парах аммиака на ВАХ р-п переходов на основе GaAs, измеренных в воздухе и в парах аммиака. Такая обработка резко повышает чувствительность поверхностного тока к парам воды и аммиака. В парах аммиака с достаточно высоким парциальным давлением появляется максимум на ВАХ. Обработанные р-п переходы имеют более высокую газовую чувствительность при обратном смещении, чем при прямом смещении. Это свидетельствует, что адсорбция молекул аммиака , при достаточно высоких значениях парциального давления NH3, создает в р-п переходе поверхностный проводящий канал с вырожденными электронами. И появление максимума на ВАХ объясняется туннельной инжекцией электронов из проводящего канала в вырожденную р+ область.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2013. - англ.
Ключові слова
p-n junction, gas sensor, surface current, conducting channel, tunneling, p-n перехід, газовий сенсор, поверхневий струм, провідний канал, тунелювання, p-n переход, газовый сенсор, поверхностный ток, проводящий канал, туннелирование
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics