TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS INDUCED BY AMMONIA MOLECULES ADSORPTION

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.contributor.authorPtashchenko, Fedir O.
dc.contributor.authorGilmutdinova, Valeriia R.
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федір Олександрович
dc.contributor.authorГільмутдінова, Валерія Рафаїлівна
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федор Александрович
dc.contributor.authorГильмутдинова, Валерия Рафаэловна
dc.date.accessioned2014-01-25T09:17:05Z
dc.date.available2014-01-25T09:17:05Z
dc.date.issued2013
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2013. - англ.uk
dc.description.abstractThe effect of a treatment in concentrated wet ammonia vapors on I-V characteristics of GaAs p-n junctions, measured in air and in ammonia vapors, was studied. Such a treatment strongly enhances the sensitivity of the surface current to the water- and ammonia vapors. In ammonia vapors of high enough partial pressure, a maximum in the forward branch of I-V characteristic appeared. The treated p-n junctions have higher gas sensitivity at reverse bias than at forward bias. This suggests that ammonia molecules adsorption, under sufficiently high NH3 partial pressure, forms in the p-n junction a surface conducting channel with degenerated electrons. And the observed maximum in the I-V characteristic is explained by tunnel injection of electrons from the conducting channel to the degenerated p+ region.uk
dc.description.abstractДосліджено вплив обробки у концентрованих вологих парах аміаку на BAX p-n переходів на основі GaAs, виміряних у повітрі та в парах аміаку. Така обробка різко підвищує чутливість поверхневого струму до парів води та аміаку. В парах аміаку достатньо високого парціального тиску з’являється максимум на ВАХ. Оброблені p-n переходи мають більш високу газову чутливість при зворотному зміщенні, ніж при прямому зміщенні. Це свідчить, що адсорбція молекул аміаку , при достатньо високих значеннях парціального тиску NH3, створює в p-n переході поверхневий провідний канал з виродженими електронами. І наявність спостереженого максимуму на ВАХ пояснюється тунельною інжекцією електронів із провідного каналу у вироджену p+ область.uk
dc.description.abstractИсследовано влияние обработки в концентрированных влажных парах аммиака на ВАХ р-п переходов на основе GaAs, измеренных в воздухе и в парах аммиака. Такая обработка резко повышает чувствительность поверхностного тока к парам воды и аммиака. В парах аммиака с достаточно высоким парциальным давлением появляется максимум на ВАХ. Обработанные р-п переходы имеют более высокую газовую чувствительность при обратном смещении, чем при прямом смещении. Это свидетельствует, что адсорбция молекул аммиака , при достаточно высоких значениях парциального давления NH3, создает в р-п переходе поверхностный проводящий канал с вырожденными электронами. И появление максимума на ВАХ объясняется туннельной инжекцией электронов из проводящего канала в вырожденную р+ область.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4315
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдесский национальный университет имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 22, p. 38-42
dc.subjectp-n junctionuk
dc.subjectgas sensoruk
dc.subjectsurface currentuk
dc.subjectconducting channeluk
dc.subjecttunnelinguk
dc.subjectp-n перехідuk
dc.subjectгазовий сенсорuk
dc.subjectповерхневий струмuk
dc.subjectпровідний каналuk
dc.subjectтунелюванняuk
dc.subjectp-n переходuk
dc.subjectгазовый сенсорuk
dc.subjectповерхностный токuk
dc.subjectпроводящий каналuk
dc.subjectтуннелированиеuk
dc.titleTUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS INDUCED BY AMMONIA MOLECULES ADSORPTIONuk
dc.title.alternativeТУНЕЛЬНИЙ ПОВЕРХНЕВИЙ СТРУМ В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GaAs, ІНДУКОВАНИЙ АДСОРБЦІЄЮ МОЛЕКУЛ АМІАКУuk
dc.title.alternativeТУННЕЛЬНЫЙ ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВЕ GaAs, ИНДУЦИРОВАННЫЙ АДСОРБЦИЕЙ МОЛЕКУЛ АММИАКАuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
38-42.pdf
Розмір:
343.05 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics