ИЗГОТОВЛЕНИЕ МОНОДИСПЕРСНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОРОШКОВ SiC И Si3N4 С ПРИМЕНЕНИЕМ СО2-ЛАЗЕРА

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКурмашев, Ш. Д.
dc.contributor.authorСофронков, О. Н.
dc.contributor.authorБугаева, Т. Н.
dc.contributor.authorЛавренова, Т. И.
dc.contributor.authorДзюба, Н. С.
dc.contributor.authorСофронков, А. Н.
dc.contributor.authorБугайова, Т. М.
dc.contributor.authorЛавренова, Т. І.
dc.contributor.authorKurmashev, Sh. D.
dc.contributor.authorSofronkov, A. N.
dc.contributor.authorBugaeva, T. N.
dc.contributor.authorLavrenova, T. I.
dc.contributor.authorDzyuba, N. S.
dc.date.accessioned2013-04-23T11:22:01Z
dc.date.available2013-04-23T11:22:01Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractРассмотрен процесс получения порошков SiC и Si3N4 с применением С02-лазера. Технология отличается тем, что используемые реагентные газы - силан и аммиак (для получения нитрида кремния) или этилен (для получения карбида кремния) пропускаются через луч С02-лазера. Получены мелкодисперсные, содержащие сферические частицы одинакового размера (монодисперсные), высокочистые, неагломерированные порошки SiC и Si3N4.uk
dc.description.abstractЗапропоновано процес отримання порошків S ІС і Si3N4 з використанням С02-лазера. Технологія відрізняється тим, що реагентні гази, що використовуються, - силан і аміак (для отримання нітриду кремнію) або етилен (для отримання карбіду кремнію) пропускаються через промінь С02-лазера. При цьому виходить високочистий, неагломерований, дрібнодисперсний порошок, що містить сферичні частинки однакового розміру (монодисперсний).uk
dc.description.abstractThe process of obtaining powders of SiC and Si3N4 with C02-laser has been studied. The technology differs in that the used reagent gases - silane and ammonia (for silicon nitride) or ethylene (for silicon carbide) are passed through the C02-laser beam. Fine agglomerated powders of high purity SiC and Si3N4 containing spherical particles of the same size (monodispersed) have been obtaineduk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologiesuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/3644
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університетuk
dc.relation.ispartofseries;Т. 3(9), № 4.
dc.subjectкерамикаuk
dc.subjectкарбид кремнияuk
dc.subjectнитрид кремнияuk
dc.subjectкерамікаuk
dc.subjectкарбід кремніюuk
dc.subjectнітрид кремніюuk
dc.subjectceramicsuk
dc.subjectsilicon carbideuk
dc.subjectsilicon nitrideuk
dc.titleИЗГОТОВЛЕНИЕ МОНОДИСПЕРСНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОРОШКОВ SiC И Si3N4 С ПРИМЕНЕНИЕМ СО2-ЛАЗЕРАuk
dc.title.alternativeВИГОТОВЛЕННЯ МОНОДИСПЕРСНИХ КЕРАМІЧНИХ ПОРОШКІВ SiC I Si3N4 3 ВИКОРИСТАННЯМ СО2-ЛАЗЕРАuk
dc.title.alternativeFABRICATION OF CERAMIC POWDERS SiC AND Si3N4 USING C02-LASERuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
SEMST_04.03.76-80+.pdf
Розмір:
239.56 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології