ИЗГОТОВЛЕНИЕ МОНОДИСПЕРСНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОРОШКОВ SiC И Si3N4 С ПРИМЕНЕНИЕМ СО2-ЛАЗЕРА
Вантажиться...
Дата
2012
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет
Анотація
Рассмотрен процесс получения порошков SiC и Si3N4 с применением С02-лазера. Технология отличается тем, что используемые реагентные газы - силан и аммиак (для получения нитрида кремния) или этилен (для получения карбида кремния) пропускаются через луч С02-лазера. Получены мелкодисперсные, содержащие сферические частицы одинакового размера (монодисперсные), высокочистые, неагломерированные порошки SiC и Si3N4.
Запропоновано процес отримання порошків S ІС і Si3N4 з використанням С02-лазера. Технологія відрізняється тим, що реагентні гази, що використовуються, - силан і аміак (для отримання нітриду кремнію) або етилен (для отримання карбіду кремнію) пропускаються через промінь С02-лазера. При цьому виходить високочистий, неагломерований, дрібнодисперсний порошок, що містить сферичні частинки однакового розміру (монодисперсний).
The process of obtaining powders of SiC and Si3N4 with C02-laser has been studied. The technology differs in that the used reagent gases - silane and ammonia (for silicon nitride) or ethylene (for silicon carbide) are passed through the C02-laser beam. Fine agglomerated powders of high purity SiC and Si3N4 containing spherical particles of the same size (monodispersed) have been obtained
Запропоновано процес отримання порошків S ІС і Si3N4 з використанням С02-лазера. Технологія відрізняється тим, що реагентні гази, що використовуються, - силан і аміак (для отримання нітриду кремнію) або етилен (для отримання карбіду кремнію) пропускаються через промінь С02-лазера. При цьому виходить високочистий, неагломерований, дрібнодисперсний порошок, що містить сферичні частинки однакового розміру (монодисперсний).
The process of obtaining powders of SiC and Si3N4 with C02-laser has been studied. The technology differs in that the used reagent gases - silane and ammonia (for silicon nitride) or ethylene (for silicon carbide) are passed through the C02-laser beam. Fine agglomerated powders of high purity SiC and Si3N4 containing spherical particles of the same size (monodispersed) have been obtained
Опис
Ключові слова
керамика, карбид кремния, нитрид кремния, кераміка, карбід кремнію, нітрид кремнію, ceramics, silicon carbide, silicon nitride
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies