Surface modification of gallium phosphide stimulated by high-power pulsed laser irradiation

Вантажиться...
Ескіз
Дата
2004
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
The growth condition effect of gallium phosphide monocrystals grown by Czochralski method on change of microhardness, photoluminescence and edge absorption spectrum under the action of high power pulsed laser radiation has been studied. The modifications of microhardness and edge absorption curves, increases in a number of radiative recombination centers has been associated with laser stimulated dissociation of the region rich of impurities, generation of defects and their interaction with intrinsic defects.
Опис
Ключові слова
monocrystal, Czochralski method, laser, spectrum
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics
DOI
ORCID:
УДК
Зібрання