Surface modification of gallium phosphide stimulated by high-power pulsed laser irradiation

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorYevtushenko, Nina H.
dc.contributor.authorStukalov, Serhii A.
dc.contributor.authorRotner, S. M.
dc.date.accessioned2018-06-06T06:29:37Z
dc.date.available2018-06-06T06:29:37Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractThe growth condition effect of gallium phosphide monocrystals grown by Czochralski method on change of microhardness, photoluminescence and edge absorption spectrum under the action of high power pulsed laser radiation has been studied. The modifications of microhardness and edge absorption curves, increases in a number of radiative recombination centers has been associated with laser stimulated dissociation of the region rich of impurities, generation of defects and their interaction with intrinsic defects.uk
dc.identifierUDC 621.315.592
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16604
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 13.
dc.subjectmonocrystaluk
dc.subjectCzochralski methoduk
dc.subjectlaseruk
dc.subjectspectrumuk
dc.titleSurface modification of gallium phosphide stimulated by high-power pulsed laser irradiationuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
с.22-24.pdf
Розмір:
2.4 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics