Статті та доповіді ФМФІТ
Постійне посилання зібрання
Переглянути
Перегляд Статті та доповіді ФМФІТ за Дата публікації
Зараз показуємо 1 - 20 з 599
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Некоторые задачи о неустановившемся притоке жидкости к скважине в круговой области с учетом слабой проницаемости водоупора(1974) Матвеенко, Т. И.В системах достаточно большого числа скважин можно считать, что каждая скважина имеет свою, круговую область действия [1]. Задачи о неустановившемся притоке жидкости к такой скважине рассматривались в работах П. Альберта [2], С. Ф. Аверьянова, В. С. Усенко [3], П. Я. Полубариновой-Кочиной [1], М. Б. Баклушина [4] и др.Документ Стимулирование аномальной температурной зависимости темнового тока в поликристаллических слоях сульфида кадмия(1979) Гриневич, Виктор Сергеевич; Игнатов, А. В.; Сердюк, В. В.Известно явление аномальной температурной зависимости темнового тока в поликристаллических слоях СбБ, когда в температурном интервале (150—300)К обычный рост тока сменяется его убыванием.Документ Изгиб клиновидных пластинок с упругозакрепленными или подкрепленными гранями(1980) Реут, Виктор Всеволодович; Тихоненко, Л. Я.; Реут, Віктор Всеволодович; Reut, Viktor V.В работах предложен метод решения задач о контакте полубесконечной балки с упругим клином, основанный на использовании краевой задачи Карлемана для полосы. Ниже метод применяется к задачам. Каждая из перечисленных задач может быть усложнена путем задания неоднородных краевых условий. В этом случае вспомогательная задача с классическими краевыми условиями сводит задачу к решению однородного уравнения с неоднородными неклассическими краевыми условиями. Такое преобразование равносильно замене внешней нагрузки нагрузкой, действующей только на упругозаделанных гранях, и подробно рассмотрено на примере задачи.Документ Особенности аномальной температурной зависимости темнового тока полупроводниковых слоев селенида кадмия(1982) Гриневич, Виктор Сергеевич; Сердюк, В. В.; Смынтына, Валентин АндреевичНа основании экспериментальных результатов по измерению температурной зависимости темнового тока (ТЗТТ) на полупроводниковых слоях С4Бе и стеклянной подложке и зависимости давления, в камере от температуры рассмотрен механизм влияния адсорбционных процессов на поверхностях полупроводника селенида кадмия и стеклянной подложки на их ТЗТТ.Документ Structural transformations in polycrystalline cadmium selenide films(1982) Hrinevych, Viktor S.; Polishchuk, V. E.; Serdyuk, V. V.; Smyntyna, Valentyn A.In the present work, we studied the polymorphic transformations in polycrystalline CdSe films during isothermal annealing and storage in the dark at room temperature for a proloned period in order to establish features indicating structural changes in the films and the reasons for these changes.Документ Разрывные решения одномерных краевых задач и функции Грина(1982) Попов, Геннадий ЯковлевичПри решении методом интегральных преобразований краевых задач математической физики для областей, содержащих разрезы, для слоистых и многосвязных областей [3, 4] возникает необходимость в достаточно простых формулах, дающих разрывные решения одномерных краевых задач.Документ ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫЕ КОМПЛЕКСЫ В ТОНКИХ СЛОЯХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ(Наука, 1983) Смынтына, Валентин АндреевичНа свойства поверхности и объема полупроводников влияют дефекты донорного и акцепторного типа и соотношение их концентраций.В пленках селепида кадмия основными донорами в большинстве случаев являются вакансии селена или междоузельные атомы кадмия,энергетические уровни которых отстоят от дна зоны проводимости соответственно на 0,14 и 0,3 эВ [2, 3]. Вакансии селена служат централей хемосорбции атомарного кислорода,а молекулы 02 хемосорбируются главным образом на избыточных атомах кадмия.При этом энергия активации десорбции атома кислорода составляет 1,2 эВ, а для десорбции 02 необходима энергия активации 0,75 эВ [4].Документ ЦЕНТРЫ МЕДЛЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ(Наука, 1983) Смынтына, Валентин АндреевичВ результате отжига,при котором уменьшается концентрация вакансий селена благодаря их диффузии к поверхности,проявляют свое влияние на фотоэлектрические свойства монокристаллическпх слоев селенида кадмия к-центры медленной рекомбинации.Энергетические уровни к-центров расположены на 0.23—0.25 эВ выше потолка валентной зоны. Природа к-центров определяется присутствием в структуре слоя селенида кадмия собственных дефектов вакансий кадмия в отличие от r-центров медленной рекомбинации, которые связаны с примесями в полупроводниковом материале.Документ Аномальная температура зависимость электропроводности пленок CdS(Наука, 1985) Смынтына, Валентин Андреевич; Турецкий, А. Е.; Чемересюк, Г. Г.Исследовано влияние хемосорбированного кислорода на электрофизические свойства тонких пленок сульфида кадмия,полученных методом электрогидродинамического распыления жидкости.Установлена связь между технологическими условиями изготовления слоев CdS и величиной их адсорбционной чувствительности.Определена природа основных донорпых центров,ответственных за хемосорбцию молекулярного и атомарного кислорода.Документ Изменение природы основных доноров и морфологии поверхности слоев CdSe с увеличением их толщины и температуры конденсации(Наука, 1985) Смынтына, Валентин Андреевич; Вашпанов, Юрий Александрович; Бабинчук, В. С.При выращивании слоев полупроводников методом конденсации в вакууме в квазизамкнутом объеме происходит перестройка их структуры,изменяются природа и концентрация собственных донорпых и акцепторных дефектов.В зависимости от температуры подложки и испарителя, времени напыления и толщины слоя эти процессы могут протекать одновременно с различными скоростями и сменять друг друга на определенных стадиях роста.Это существенно затрудняет интерпретацию наблюдаемых закономерностей изменений удельной электропроводности и скорости роста пленки полупроводников при различных условиях опытов.Документ НАСЫЩЕНИЕ И ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ НА ВОЛЬТАЛИТЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИКАХ ФОТОТОКА ПЛЕНОК CdSe(Наука, 1986) Смынтына, Валентин АндреевичВ настоящей работе исследован механизм возникновения участков насыщения и ОДС на ВАХ пленок селенида кадмия с учетом стимулированных температурой электронно-молекулярных процессов на их поверх ности.Документ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ПЛЕНОК А2 В6, СТИМУЛИРОВАННАЯ ПОВЕРХНОСТНЫМИ ЯВЛЕНИЯМИ(1987) Смынтына, Валентин Андреевич; Турецкий, А. Е.; Чемересюк, Г. Г.Изучен механизм изменения величины отношения фототока к темновому току (α=/ϕ//т) при взаимодействии с кислородом тонких пленок сульфида и селенида кадмия, полученных, соответственно, электрогидродинамическим распылением жидкости и термическим напылением в вакууме.Увеличение а может быть обусловлено не только уменьшением уровня темнового тока в результате хемосорбции кислорода на поверхности кристаллитов образцов, но и дополнительно к этому увеличением времени жизни фотоэлектронов в области пространственного заряда, приводящим к повышению фоточувствительности слоев.При этом происходит перераспределение рекомбинационных потоков на s- и r-центрах в сторону увеличения вклада r-центров. При определении роли кислорода в процессах очувствления полупроводников необходимо учитывать природу центров, ответственных за рекомбинационные процессы, а также отличия в составе поверхности слоев.Документ ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ ВЫСОКООМНЫХ ПЛЕНОК СЕЛЕНИДА КАДМИЯ(1987) Смынтына, Валентин АндреевичВольт-амперные характеристики (ВАХ) предварительно отожженных при 670 К в вакууме(высокоомных)пленок CdSe, измеренные в атмосфере газовой смеси с объемными долями 0,8 N2, 0,2 02 в темноте были омичны до напряжений 1/<100 В, а при V>100 В появляется область отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) или насыщения тока /, за которым следует его сверхлинейное возрастание (рис. 1, кривая 1). Последующее понижение V сопровождалось умень¬шением / (рис. 1, кривая 2), а на зависимости /(V) наблюдались осо¬бенности, характерные для протекания токов, ограниченных простран¬ственным зарядом (ТОПЗ) в полупроводниках. Гистерезис ВАХ имеет место лишь в том случае, если измерения продолжались в области 1/>100 В.Документ ИЗМЕНЕНИЕ СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ ПЛЕНОК CdSe В ПРОЦЕССЕ ИХ РОСТА(Наука, 1987) Смынтына, Валентин Андреевич; Герасютенко, В. А.; Корнеева, С. А.Исследование взаимосвязи между объемными(а — удельной электро-проводностью)и поверхностными свойствами полупроводниковых пленок типа селенида кадмия позволяет изучать влияние природы основных доноров на электронно-молекулярные процессы на поверхностиДокумент ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫЙ МЕХАНИЗМ ПОВЫШЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ПЛЕНОК CdSe(Наука, 1987) Смынтына, Валентин АндреевичВ настоящей работе представлен механизм повышения фоточувствительности пленок селенида кадмия,объясняющий увеличение а за счет электронно-молекулярных процессов на их поверхности,происходящих при хемосорбции кислорода,которая в свою очередь,увеличивая высоту потенциального барьера,приводит к изменению положения собственных центров медленной рекомбинации относительно квазиуровня Ферми(F) и демаркационного уровня(D) в приповерхностном слое полупроводника.Документ Расчет коробчатых оболочек(1987) Попов, Геннадий Яковлевич; Реут, Виктор Всеволодович; Реут, Віктор Всеволодович; Reut, Viktor V.В данной работе предлагается новый подход к расчету коробчатых оболочек, сводящийся к решению задачи о напряженном состоянии пластинки с дефектами. Достоинством этого подхода служит то, что во-первых, он позволяет сократить в постановке задачи количество дифференциальных уравнений и условий стыковки, во-вторых, он сводится к проблеме, методы решения которой в последнее время интенсивно развивались. В качестве иллюстрации метода строится точное решение задачи о напряженном состоянии коробчатой оболочки в виде бесконечной треугольной пирамиды, все двугранные углы которой прямые.Документ ЯВЛЕНИЯ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫМИ ПРОЦЕССАМИ НА ПОВЕРХНОСТИ ПЛЕНОК СЕЛЕНИДА КАДМИЯ(Наука, 1987) Смынтына, Валентин АндреевичТермически стимулированная хемосорбция О2 и образование О- являются причиной насыщения вольтамперной характеристики темпового тока и фототока,отрицательного дифференциального сопротивления,отрицательного температурного коэффициента сопротивления.При этом в межэлектродном промежутке образуется новый тип электрической неоднородности — хемосорбционно-электрический домен.В зависимости от свойств поверхности полупроводника и конкретного механизма хемосорбционного процесса он может приводить как к повышению,так и к понижению фоточувствительности полупроводника.Документ ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫЕ ПРОЦЕССЫ НА КРИСТАЛЛИТАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ(Наука, 1989) Смынтына, Валентин Андреевич; Сенкевич, А. И.; Герасютенко, В. А.Методами рентгеповской фотоэлектронной спектроскопии и масс-спектрометрии исследованы влияние отжига в вакууме и легирования на элемептный состав пленок селепида кадмия,соотношение собственных и примесных атомов.Обнаружено монотонное уменьшение относительного содержания селена с ростом толщины пленки. На поверхности пленок выявлены две формы хемосорбированного кислорода (с энергиями связи линии О 1s, равными 531,7 и 531,3 эВ),соответствующие молекулярной и атомарной формам его хемосорбции.Показано,что основные донорные дефекты: вакансии селена и атомы кадмия одновременно являются центрами хемосорбции атомарной и молекулярной форм кислорода соответственно.Документ Physical problems of the reliability of sensors based on A2B6 semiconductor compounds(1989) Hrinevych, Viktor S.; Smyntyna, Valentyn A.The sensors were made using the technology for vacuum deposition of the original material on an insulating substrate. In this case, a film of thickness 1 pin was formed which was equipped with planar indium ohmic contacts. The electrode gap was 2 mm. At the operating temperature, such sensors function mainly under conditions of changing current and resistance when exposed to a variation in gas concentration.Документ Задача о напряженном состоянии коробчатой оболочки подкреплённой полубесконечным стержнем(1990) Моисеев, Николай Григорьевич; Попов, Геннадий Яковлевич; Реут, Виктор Всеволодович; Реут, Віктор Всеволодович; Reut, Viktor V.Рассмотрим коробчатую оболочку состоящую из двух полубесконечных пластин, образующих двухгранный прямой угол (см.рис.1) и имеющих различные упругие постоянные.