08. Факультет математики, фізики та інформаційних технологій
Постійне посилання на фонд
Переглянути
Перегляд 08. Факультет математики, фізики та інформаційних технологій за Дата публікації
Зараз показуємо 1 - 20 з 815
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Некоторые задачи о неустановившемся притоке жидкости к скважине в круговой области с учетом слабой проницаемости водоупора(1974) Матвеенко, Т. И.В системах достаточно большого числа скважин можно считать, что каждая скважина имеет свою, круговую область действия [1]. Задачи о неустановившемся притоке жидкости к такой скважине рассматривались в работах П. Альберта [2], С. Ф. Аверьянова, В. С. Усенко [3], П. Я. Полубариновой-Кочиной [1], М. Б. Баклушина [4] и др.Документ Стимулирование аномальной температурной зависимости темнового тока в поликристаллических слоях сульфида кадмия(1979) Гриневич, Виктор Сергеевич; Игнатов, А. В.; Сердюк, В. В.Известно явление аномальной температурной зависимости темнового тока в поликристаллических слоях СбБ, когда в температурном интервале (150—300)К обычный рост тока сменяется его убыванием.Документ Изгиб клиновидных пластинок с упругозакрепленными или подкрепленными гранями(1980) Реут, Виктор Всеволодович; Тихоненко, Л. Я.; Реут, Віктор Всеволодович; Reut, Viktor V.В работах предложен метод решения задач о контакте полубесконечной балки с упругим клином, основанный на использовании краевой задачи Карлемана для полосы. Ниже метод применяется к задачам. Каждая из перечисленных задач может быть усложнена путем задания неоднородных краевых условий. В этом случае вспомогательная задача с классическими краевыми условиями сводит задачу к решению однородного уравнения с неоднородными неклассическими краевыми условиями. Такое преобразование равносильно замене внешней нагрузки нагрузкой, действующей только на упругозаделанных гранях, и подробно рассмотрено на примере задачи.Документ Особенности аномальной температурной зависимости темнового тока полупроводниковых слоев селенида кадмия(1982) Гриневич, Виктор Сергеевич; Сердюк, В. В.; Смынтына, Валентин АндреевичНа основании экспериментальных результатов по измерению температурной зависимости темнового тока (ТЗТТ) на полупроводниковых слоях С4Бе и стеклянной подложке и зависимости давления, в камере от температуры рассмотрен механизм влияния адсорбционных процессов на поверхностях полупроводника селенида кадмия и стеклянной подложки на их ТЗТТ.Документ Structural transformations in polycrystalline cadmium selenide films(1982) Hrinevych, Viktor S.; Polishchuk, V. E.; Serdyuk, V. V.; Smyntyna, Valentyn A.In the present work, we studied the polymorphic transformations in polycrystalline CdSe films during isothermal annealing and storage in the dark at room temperature for a proloned period in order to establish features indicating structural changes in the films and the reasons for these changes.Документ Разрывные решения одномерных краевых задач и функции Грина(1982) Попов, Геннадий ЯковлевичПри решении методом интегральных преобразований краевых задач математической физики для областей, содержащих разрезы, для слоистых и многосвязных областей [3, 4] возникает необходимость в достаточно простых формулах, дающих разрывные решения одномерных краевых задач.Документ ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫЕ КОМПЛЕКСЫ В ТОНКИХ СЛОЯХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ(Наука, 1983) Смынтына, Валентин АндреевичНа свойства поверхности и объема полупроводников влияют дефекты донорного и акцепторного типа и соотношение их концентраций.В пленках селепида кадмия основными донорами в большинстве случаев являются вакансии селена или междоузельные атомы кадмия,энергетические уровни которых отстоят от дна зоны проводимости соответственно на 0,14 и 0,3 эВ [2, 3]. Вакансии селена служат централей хемосорбции атомарного кислорода,а молекулы 02 хемосорбируются главным образом на избыточных атомах кадмия.При этом энергия активации десорбции атома кислорода составляет 1,2 эВ, а для десорбции 02 необходима энергия активации 0,75 эВ [4].Документ ЦЕНТРЫ МЕДЛЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ(Наука, 1983) Смынтына, Валентин АндреевичВ результате отжига,при котором уменьшается концентрация вакансий селена благодаря их диффузии к поверхности,проявляют свое влияние на фотоэлектрические свойства монокристаллическпх слоев селенида кадмия к-центры медленной рекомбинации.Энергетические уровни к-центров расположены на 0.23—0.25 эВ выше потолка валентной зоны. Природа к-центров определяется присутствием в структуре слоя селенида кадмия собственных дефектов вакансий кадмия в отличие от r-центров медленной рекомбинации, которые связаны с примесями в полупроводниковом материале.Документ Аномальная температура зависимость электропроводности пленок CdS(Наука, 1985) Смынтына, Валентин Андреевич; Турецкий, А. Е.; Чемересюк, Г. Г.Исследовано влияние хемосорбированного кислорода на электрофизические свойства тонких пленок сульфида кадмия,полученных методом электрогидродинамического распыления жидкости.Установлена связь между технологическими условиями изготовления слоев CdS и величиной их адсорбционной чувствительности.Определена природа основных донорпых центров,ответственных за хемосорбцию молекулярного и атомарного кислорода.Документ Изменение природы основных доноров и морфологии поверхности слоев CdSe с увеличением их толщины и температуры конденсации(Наука, 1985) Смынтына, Валентин Андреевич; Вашпанов, Юрий Александрович; Бабинчук, В. С.При выращивании слоев полупроводников методом конденсации в вакууме в квазизамкнутом объеме происходит перестройка их структуры,изменяются природа и концентрация собственных донорпых и акцепторных дефектов.В зависимости от температуры подложки и испарителя, времени напыления и толщины слоя эти процессы могут протекать одновременно с различными скоростями и сменять друг друга на определенных стадиях роста.Это существенно затрудняет интерпретацию наблюдаемых закономерностей изменений удельной электропроводности и скорости роста пленки полупроводников при различных условиях опытов.Документ НАСЫЩЕНИЕ И ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ НА ВОЛЬТАЛИТЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИКАХ ФОТОТОКА ПЛЕНОК CdSe(Наука, 1986) Смынтына, Валентин АндреевичВ настоящей работе исследован механизм возникновения участков насыщения и ОДС на ВАХ пленок селенида кадмия с учетом стимулированных температурой электронно-молекулярных процессов на их поверх ности.Документ ИЗМЕНЕНИЕ СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ ПЛЕНОК CdSe В ПРОЦЕССЕ ИХ РОСТА(Наука, 1987) Смынтына, Валентин Андреевич; Герасютенко, В. А.; Корнеева, С. А.Исследование взаимосвязи между объемными(а — удельной электро-проводностью)и поверхностными свойствами полупроводниковых пленок типа селенида кадмия позволяет изучать влияние природы основных доноров на электронно-молекулярные процессы на поверхностиДокумент ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ПЛЕНОК А2 В6, СТИМУЛИРОВАННАЯ ПОВЕРХНОСТНЫМИ ЯВЛЕНИЯМИ(1987) Смынтына, Валентин Андреевич; Турецкий, А. Е.; Чемересюк, Г. Г.Изучен механизм изменения величины отношения фототока к темновому току (α=/ϕ//т) при взаимодействии с кислородом тонких пленок сульфида и селенида кадмия, полученных, соответственно, электрогидродинамическим распылением жидкости и термическим напылением в вакууме.Увеличение а может быть обусловлено не только уменьшением уровня темнового тока в результате хемосорбции кислорода на поверхности кристаллитов образцов, но и дополнительно к этому увеличением времени жизни фотоэлектронов в области пространственного заряда, приводящим к повышению фоточувствительности слоев.При этом происходит перераспределение рекомбинационных потоков на s- и r-центрах в сторону увеличения вклада r-центров. При определении роли кислорода в процессах очувствления полупроводников необходимо учитывать природу центров, ответственных за рекомбинационные процессы, а также отличия в составе поверхности слоев.Документ ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫЙ МЕХАНИЗМ ПОВЫШЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ПЛЕНОК CdSe(Наука, 1987) Смынтына, Валентин АндреевичВ настоящей работе представлен механизм повышения фоточувствительности пленок селенида кадмия,объясняющий увеличение а за счет электронно-молекулярных процессов на их поверхности,происходящих при хемосорбции кислорода,которая в свою очередь,увеличивая высоту потенциального барьера,приводит к изменению положения собственных центров медленной рекомбинации относительно квазиуровня Ферми(F) и демаркационного уровня(D) в приповерхностном слое полупроводника.Документ Расчет коробчатых оболочек(1987) Попов, Геннадий Яковлевич; Реут, Виктор Всеволодович; Реут, Віктор Всеволодович; Reut, Viktor V.В данной работе предлагается новый подход к расчету коробчатых оболочек, сводящийся к решению задачи о напряженном состоянии пластинки с дефектами. Достоинством этого подхода служит то, что во-первых, он позволяет сократить в постановке задачи количество дифференциальных уравнений и условий стыковки, во-вторых, он сводится к проблеме, методы решения которой в последнее время интенсивно развивались. В качестве иллюстрации метода строится точное решение задачи о напряженном состоянии коробчатой оболочки в виде бесконечной треугольной пирамиды, все двугранные углы которой прямые.Документ ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ ВЫСОКООМНЫХ ПЛЕНОК СЕЛЕНИДА КАДМИЯ(1987) Смынтына, Валентин АндреевичВольт-амперные характеристики (ВАХ) предварительно отожженных при 670 К в вакууме(высокоомных)пленок CdSe, измеренные в атмосфере газовой смеси с объемными долями 0,8 N2, 0,2 02 в темноте были омичны до напряжений 1/<100 В, а при V>100 В появляется область отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) или насыщения тока /, за которым следует его сверхлинейное возрастание (рис. 1, кривая 1). Последующее понижение V сопровождалось умень¬шением / (рис. 1, кривая 2), а на зависимости /(V) наблюдались осо¬бенности, характерные для протекания токов, ограниченных простран¬ственным зарядом (ТОПЗ) в полупроводниках. Гистерезис ВАХ имеет место лишь в том случае, если измерения продолжались в области 1/>100 В.Документ ЯВЛЕНИЯ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫМИ ПРОЦЕССАМИ НА ПОВЕРХНОСТИ ПЛЕНОК СЕЛЕНИДА КАДМИЯ(Наука, 1987) Смынтына, Валентин АндреевичТермически стимулированная хемосорбция О2 и образование О- являются причиной насыщения вольтамперной характеристики темпового тока и фототока,отрицательного дифференциального сопротивления,отрицательного температурного коэффициента сопротивления.При этом в межэлектродном промежутке образуется новый тип электрической неоднородности — хемосорбционно-электрический домен.В зависимости от свойств поверхности полупроводника и конкретного механизма хемосорбционного процесса он может приводить как к повышению,так и к понижению фоточувствительности полупроводника.Документ ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫЕ ПРОЦЕССЫ НА КРИСТАЛЛИТАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ(Наука, 1989) Смынтына, Валентин Андреевич; Сенкевич, А. И.; Герасютенко, В. А.Методами рентгеповской фотоэлектронной спектроскопии и масс-спектрометрии исследованы влияние отжига в вакууме и легирования на элемептный состав пленок селепида кадмия,соотношение собственных и примесных атомов.Обнаружено монотонное уменьшение относительного содержания селена с ростом толщины пленки. На поверхности пленок выявлены две формы хемосорбированного кислорода (с энергиями связи линии О 1s, равными 531,7 и 531,3 эВ),соответствующие молекулярной и атомарной формам его хемосорбции.Показано,что основные донорные дефекты: вакансии селена и атомы кадмия одновременно являются центрами хемосорбции атомарной и молекулярной форм кислорода соответственно.Документ Physical problems of the reliability of sensors based on A2B6 semiconductor compounds(1989) Hrinevych, Viktor S.; Smyntyna, Valentyn A.The sensors were made using the technology for vacuum deposition of the original material on an insulating substrate. In this case, a film of thickness 1 pin was formed which was equipped with planar indium ohmic contacts. The electrode gap was 2 mm. At the operating temperature, such sensors function mainly under conditions of changing current and resistance when exposed to a variation in gas concentration.Документ Расчет коробчатых оболочек прямоуголбного сечения(1990) Гришин, Владимир Алексеевич; Попов, Геннадий Яковлевич; Реут, Виктор Всеволодович; Гришин, Володимир Олексійович; Hryshyn, Volodymyr O.; Реут, Віктор Всеволодович; Reut, Viktor V.Излагается метод расчета коробчатых оболочек, основанный на сведении к задаче о совместном плоском и изгибном состоянии пластины с дефектом, методы решения которой изложены в монографии (под дефектом понимается линия, при переосоде через которую терпят скачки усилия или смещения). Показано, что при малых толщинах решение задачи о напряженном состоянии коробчатой оболочки сводится к последовательному решению двух задач (изгибной и плоской) с точностью до слагаемого- более высокого порядка малости. Результаты вычислений изгибающих моментов и напряжений в оболочке представлены в виде графиков и таблиц. Расчету коробчатых оболочек посвящены работы, основанные на применении метода однородных решений, эффективного для частных случаев нагружения или. для определения собственных частот колебаний. Используемый здесь метод позволяет получать точные решения для произвольной нагрузки, значительно упростить постановку задачи и соответствующие выкладки.