Перегляд за Автор "Zatovska, Nataliia P."
Зараз показуємо 1 - 15 з 15
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ DEPENDENCE OF SPACE-CHARGE REGION CONDUCTIVITY OF NONIDEAL HETEROJUNCTION FROM(Астропринт, 2009) Borshchak, Vitalii A.; Kutalova, Mariia I.; Zatovska, Nataliia P.; Balaban, Andrii P.; Smyntyna, Valentyn A.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, Мария Ивановна; Затовская, Наталия Петровна; Балабан, Андрей Петрович; Смынтына, Валентин Андреевич; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, Марія Іванівна; Затовська, Наталія Петрівна; Балабан, Андрій Петрович; Сминтина, Валентин АндрійовичIt is shown that nonideal CdS-Cu2S heterojunction illumination results in essential space-charge region width reduction and change of a potential barrier form. It is established that this change is the most expressed near the heteroboundary and occurs even at very small intensity of stimulating light. It is connected with the capture of nonequilibrium charge on local centers, presented in spacecharge region. Such change of the form of a potential barrier results in essential change of tunnel hopping conductivity of a spatial charge nonideal heterojunction.Показано, что освещение неидеального гетероперехода CdS-Cu2S приводит к существенному сокращению ширины области пространственного заряда и изменению формы потенциального барьера. Установлено, что вблизи гетерограницы это изменение максимально выражено и происходит даже при очень небольших интенсивностях возбуждающего света. Это связано с захватом неравновесного заряда на присутствующие в области пространственного заряда локальные центры. Такое изменение формы потенциального барьера приводит к существенному изменению туннельно-прыжковой проводимости области пространственного заряда неидеального гетероперехода.Доведено, що засвітлення неідеального гетеропереходу CdS-Cu2S викликає важливе скорочення ширини області просторового заряда та зміни форми потенційного барєру. Встановлено, що поблизу гетеромежі ця зміна максимальна і відбувається при дуже невеликих інтенсивностях збуджую чого світла. Це повязано з захопленням нерівноважного заряду на присутні локальні центри. Такі зміни форми потенц ійного барєру викликають суттєві зміни тунельно стрибкової провідності області просторового заряду неідеального гетеропереходу.Документ DEPENDENCE OF SPACE-CHARGE REGION CONDUCTIVITY OF NONIDEAL HETEROJUNCTION FROM PHOTOEXCITATION CONDITIONS(Астропринт, 2009) Borshchak, Vitalii A.; Kutalova, Mariia I.; Zatovska, Nataliia P.; Balaban, Andrii P.; Smyntyna, Valentyn A.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, Мария Ивановна; Затовская, Наталия Петровна; Балабан, Андрей Петрович; Смынтына, Валентин Андреевич; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, Марія Іванівна; Затовська, Наталія Петрівна; Балабан, Андрій Петрович; Сминтина, Валентин АндрійовичIt is shown that nonideal CdS-Cu2S heterojunction illumination results in essential space-charge region width reduction and change of a potential barrier form. It is established that this change is the most expressed near the heteroboundary and occurs even at very small intensity of stimulating light. It is connected with the capture of nonequilibrium charge on local centers, presented in spacecharge region. Such change of the form of a potential barrier results in essential change of tunnel hopping conductivity of a spatial charge nonideal heterojunction. Показано, что освещение неидеального гетероперехода CdS-Cu2S приводит к существенному сокращению ширины области пространственного заряда и изменению формы потенциального барьера. Установлено, что вблизи гетерограницы это изменение максимально выражено и происходит даже при очень небольших интенсивностях возбуждающего света. Это связано с захватом неравновесного заряда на присутствующие в области пространственного заряда локальные центры. Такое изменение формы потенциального барьера приводит к существенному изменению туннельно-прыжковой проводимости области пространственного заряда неидеального гетероперехода. Доведено, що засвітлення неідеального гетеропереходу CdS-Cu2S викликає важливе скорочення ширини області просторового заряда та зміни форми потенційного бар’єру. Встановлено, що поблизу гетеромежі ця зміна — максимальна і відбувається при дуже невеликих інтенсивностях збуджуючого світла. Це пов’язано з захопленням нерівноважного заряду на присутні локальні центри. Такі зміни форми потенц ійного бар’єру викликають суттєві зміни тунельно –стрибкової провідності області просторового заряду неідеального гетеропереходу.Документ Determination in mobility of non-equilibrium carriers considering motion velocity distribution(Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2013) Myndrul, Valerii B.; Bak, A. Yu.; Karakis, Yurii M.; Kutalova, Mariia I.; Zatovska, Nataliia P.; Zubrytskyi, Serhii V.; Мындрул, Валерий Борисович; Бак, А. Ю.; Каракис, Юрий Николаевич; Куталова, Мария Ивановна; Затовская, Наталия Петровна; Зубрицкий, Сергей Всеволодович; Миндрул, Валерій Борисович; Каракіс, Юрій Миколайович; Куталова, Марія Іванівна; Затовська, Наталія Петрівна; Зубрицький, Сергій ВсеволодовичThe particularities of contact influence on processes of current rise in crystal at the expense of nonequilibrium charge were investigated. The procedure to determine carrier active mobility for the case of considerable asymmetry in their velocity distribution was developed.Документ EFFECT OF PHOTOCURRENT SHORTWAVE STIMULATION AND DETERMINATION OF DIFFUSION LENGTH FOR MINORITY CARRIERS IN Cu2S(Астропринт, 2007) Smyntyna, Valentyn A.; Borshchak, Vitalii A.; Kutalova, Mariia I.; Zatovska, Nataliia P.; Balaban, Andrii P.; Смынтына, Валентин Андреевич; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, Мария Ивановна; Затовская, Наталия Петровна; Балабан, Андрей Петрович; Сминтина, Валентин Андрійович; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, Марія Іванівна; Затовська, Наталія Петрівна; Балабан, Андрій ПетровичThe most important parameter that defines efficiency in carrier collection and, respectively, efficiency of photocon- verter, is diffusion length of minority carriers in material where basic light absorption takes place. For non-ideal heter- ojunction CdS-Cu2S, the value of diffusion length for electrons Ln in Cu2S is the most essential. In the given work non- destructive method diffusion lengths definition in this material is proposed.Важнейшим параметром, определяющим эффективность собирании носителей, а, следовательно и эффективность работы фотопреобразователя, является диффузионная длина неосновных носителей в материале, где происходит основное поглощение света. Для неидеального гетероперехода СdS-Cu2S наиболее существенной является величина диффузионной длины для электронов Ln в Cu2S. В данной работе предложен неразрушающий метод определения диффузионной длины в этом материале. Найважливішим параметром, що визначає ефективність збирання носіїв, а, отже і ефективність роботи фотоперетворювача, є дифузійна довжина неосновних носіїв у матеріалі, де відбувається основне поглинання світла. Для неідеального гетеропереходу СdS-Cu2S найбільш істотною є величина дифузійної довжини для електронів Ln в Cu2S. У даній роботі запропоновано неруйнівний метод визначення дифузійної довжини в цьому матеріалі.Документ EXTERNAL BIAS INFLUENCE ON TRANSMISSION PROCESSES IN NONIDEAL HETEROJUNCTION(Астропринт, 2008) Smyntyna, Valentyn A.; Borshchak, Vitalii A.; Kutalova, Mariia I.; Zatovska, Nataliia P.; Balaban, Andrii P.; Сминтина, Валентин Андрійович; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, Марія Іванівна; Затовська, Наталія Петрівна; Балабан, Андрій Петрович; Смынтына, Валентин Андреевич; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, Мария Ивановна; Затовская, Наталия Петровна; Балабан, Андрей ПетровичOptimum conditions for nonequilibrium positive charge accumulation and storages are determined. The maximal charge accumulation speed for a sample, which bas³ñ cadmium sulfide layer is obtained by liquid electrohydrodynamical spraying (LEHDS) method in the air, is achieved at small negative biases (–0.3 V), and for a sample obtained by vacuum deposition method — at any negative or zero bias. The speed reduction of nonequilibrium charge ejection (optimum storage conditions) located on capture centers in RSC for a case when sensor obtained by LEHDS method in the air realizes at any negative bias, and for a sample obtained by vacuum deposition — at V = –0,4V.Визначено оптимальні умови для нагромадження і збереження нерівноважного позитивного заряду. Максимальна швидк ість нагромадження заряду для зразка, базовий шар сульфіду кадмію якого отриманий методом електрогідродинамічного розпилення рідини (ЕГДРР) у повітрі, досягається при невеликих негативних зсувах (0.3 В), а для зразка, отриманого вакуумним осадженням при будь-яких негативних зсувахабо нульовому зсуві. Зменшення швидкості викиду локалізованого на центрах захоплення в ОПЗ нерівновагого заряду (оптимальні умови збереження) для випадку одержання сенсора методом ЕГДРР у повітрі здійснюється при будь-яких негативних зсувах, а для зразка, отриманого вакуумним осадженням при V = 0,4V.Определены оптимальные условия для накопления и хранения неравновесного положительного заряда. Максимальная скорость накопления заряда для образца, базовый слой сульфида кадмия которого получен методом электрогидродинами- ческого распыления жид кости (ЭГДРЖ) на воздухе, достигается при небольших отрицательных смещениях (–0.3 В), а для образца, полученного вакуумным осаждением – при любых отрицательных или нулевом смещении. Уменьшение скорости выброса локализованного на центрах захвата в ОПЗ неравновесного заряда (оптимальные условия хранения) для случая получения сенсора методом ЭГДРЖ на воздухе осуществляется при любых отрицательных смещениях, а для образца, полу- ченного вакуумным осаждением – при V = –0,4V.Документ Features luminous conductivity in the crystals treated in a corona discharge(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2016) Minaeva, O. P.; Simanovych, Nadiia S.; Zatovska, Nataliia P.; Karakis, Yurii M.; Kutalova, Mariia I.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Мінаева, О. П.; Симанович, А. С.; Затовська, Наталія Петрівна; Каракіс, Юрій Миколайович; Куталова, Марія Іванівна; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Минаева, О. П.; Симанович, А. С.; Затовская, Наталия Петровна; Каракис, Юрий Николаевич; Куталова, Мария Ивановна; Чемересюк, Георгий ГавриловичThe technology of processing of semiconductor crystals is developed in the corona discharge. It is established that as a result of this exposure, the samples acquire alternating spectral sensitivity. The observed phenomenon is explained by the emergence of a saddle of the potential barrier in the surface region of the element, the unusual properties which can allow the creation of a new type of device.Документ IMAGE SENSOR ON THE BASIS OF NONIDEAL HETEROJUNCTION WITH RIGID RASTER(Астропринт, 2006) Smyntyna, Valentyn A.; Borshchak, Vitalii A.; Kutalova, Mariia I.; Zatovska, Nataliia P.; Balaban, Andrii P.; Смынтына, Валентин Андреевич; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, Мария Ивановна; Затовская, Наталия Петровна; Балабан, Андрей Петрович; Сминтина, Валентин Андрійович; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, Марія Іванівна; Затовська, Наталія Петрівна; Балабан, Андрій ПетровичThe basic requirement to modern solid-state optical image converters is strict geometrical conformity between target video signal and optical image elements. In the given work the design of image sensor on the basis of non-ideal het- erojunction and the system of its scanning which enable to exclude raster distortions and instability of raster at image scanning is offered. The maximal resolving ability of scanning system is defined by diffraction focusing limit of light strip by which the image reading is realised. Основным требованием к современным твердотельным преобразователям оптического изображения является строгое геометрическое соответствие между выходным видеосигналом и элементами оптического изображения. В дан- ной работе разработан сенсор изображения на основе неидеального гетероперехода и системы его сканирования, которые позволяют исключить растровые искажения и нестабильность растра при сканировании изображения. Макси- мальная разрешающая способность системы сканирования определяется дифракционным пределом фокусировки счи- тывающей полосы. Основною вимогою до сучасних твердотільних перетворювачів оптичного зображення є сувора геометрична відповідність між вихідним відеосигналом і елементами оптичного зображення. У даній роботі розроблено сенсор зображення на основі неідеального гетеропереходу та система його сканування, яка дозволяє виключити растрові перекручування і нестабільність растру при скануванні зображення. Максимальна розподільна спроможність системи сканування визначається дифракційною межею фокусування смуги, що зчитує.Документ INFLUENCE OF PHOTOEXCITATION ON THE PARAMETERS OF SURFACE POTENTIAL BARRIER(Astroprint, 2001) Borshchak, Vitalii A.; Zatovska, Nataliia P.; Kutalova, Mariia I.; Smyntyna, Valentyn A.; Борщак, Віталій Анатолійович; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, Мария Ивановна; Куталова, Марія ІванівнаIn this work the effect of photoexcitation on the parameters of surface potential barrier is investigated. We have examined in detail the phenomenon, which is deter¬mined by trapping of nonequilibrium carriers into the deep levels. It is shown how the parameters of surface barrier are governed by visible excitation. The described effect together with the usage of an asymmetric heterojunction permits the fabrication of an image sensor of a quite new type.Документ Investigation in Temperature and Freouency Dependences for Conductivity in Barrier Region Of nonideal Heterojunction(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005) Smyntyna, Valentyn A.; Borshchak, Vitalii A.; Kutalova, Mariia I.; Zatovska, Nataliia P.; Balaban, Andrii P.; Борщак, Виталий Анатольевич; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, Марія Іванівна; Куталова, Мария ИвановнаThe described experimental data indicate the tunnel-jumping character of carriers transport through space-charge region (SCR) of heterojunction CdS—Cu2S. The conductivity caused by this mechanism essentially depends on the barrier parameters which can vary under illumination. This conductivity has the determinative influence on photo-electric properties of CdS—~Cu2S heterophotoelements. Rather low efficiency values of these elements, small Uoc values and, in many cases, the rectification factor of volt-current characteristics (VCC) are caused by junction external shunting as in the case the element conductivity would not find out the listed above features. In spite of similar VCC, the elements with various shunting mechanisms their character (tunnel-jumping transport on the located levels through a barrier or external with respect to junction transport) can be easy determined experimentally.Документ INVESTIGATION IN TEMPERATURE AND FREQUENCY DEPENDENCES FOR CONDUCTIVITY IN BARRIER REGION OF NONIDEAL HETEROJUNCTION(Астрапринт, 2005) Smyntyna, Valentyn A.; Borshchak, Vitalii A.; Kutalova, Mariia I.; Zatovska, Nataliia P.; Balaban, Andrii P.; Борщак, Віталій Анатолійович; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, Мария Ивановна; Куталова, Марія ІванівнаThe described experimental data indicate the tunnel-jumping character of carriers transport through space-charge region (SCR) of heterojunction CdS—Cu2S.The conductivity caused by this mechanism essentially depends on the barrier parameters which can vary under illumination.This conductivity has the determinative influence on photo-electric properties of CdS—Cu2S heterophotoelements. Rather low efficiency values of these elements, small Uос values and,in many cases,the rectification factor of volt-current char¬acteristics (VCC) are caused by junction external shunting as in the case the element conductivity would not find out the listed above features.In spite of similar VCC,the elements with various shunting mechanisms their character (tunnel-jumping transport on the located levels through a barrier or external with respect to junction transport) can be easy determined experimentally.Документ NONIDEAL HETEROJUNCTION CONDUCTIVITY(Астропринт, 2010) Borshchak, Vitalii A.; Kutalova, Mariia I.; Smyntyna, Valentyn A.; Balaban, Andrii P.; Brytavskyi, Yevhen V.; Zatovska, Nataliia P.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, Марія Іванівна; Сминтина, Валентин Андрійович; Балабан, Андрій Петрович; Бритавський, Євген Вікторович; Затовська, Наталія Петрівна; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, Мария Ивановна; Смынтына, Валентин Андреевич; Балабан, Андрей Петрович; Бритавский, Евгений Викторович; Затовская, Наталия ПетровнаCdS-Cu2S heterojunction conductivity both on continuous, and on an alternating current strongly depends on barrier parameters which can vary under illumination influence. It is established, that space charge region resistance essentially depends on its width (this dependence is close to linear) at fixed barrier height. It can testify to prevalence of tunnel multistage mechanisms of transfer over researched structure, for example, tunnel-jumping conductivity. Провідність гетероструктури CdS-Cu2S як на постійному, так і на змінному струмі сильно залежить від параметрів бар'єра, які можуть мінятися під впливом освітлення. Встановлено, що опір області просторового заряду істотно залежить від її ширини (ця залежність близька до лінійної) при незмінній висоті бар'єра. Це може свідчити про перевагу тунельних багатоступінчатих механізмів переносу в структурі, що досліджується, наприклад, тунельно-стрибкової провідності. Проводимость гетероструктуры CdS-Cu2S как на постоянном, так и на переменном токе сильно зависит от параметров барьера, которые могут меняться под действием освещения. Установлено, что сопротивление области пространственного заряда существенно зависит от ее ширины (эта зависимость близка к линейной) при неизменной высоте барьера. Это может свидетельствовать о преобладании туннельных многоступенчатых механизмов переноса в исследуемой структуре, например, туннельно-прыжковой проводимости.Документ Optimyzation in conditions for CdS-Cu2S heterophotocell shaping(Одесский национальный университете имени И. И. Мечникова, 2012) Karakis, Yurii M.; Kutalova, Mariia I.; Zatovska, Nataliia P.; Каракис, Юрий Николаевич; Куталова, Мария Ивановна; Затовская, Наталия Петровна; Куталова, Марія Іванівна; Каракіс, Юрій МиколайовичCdS-Cu2S thin film structures are prospective to be the base for high-efficient converters of solar energy to electric one. The theoretical efficiency of these elements is 27 %. But the complexity to obtain all components of the system with optimal parameters confines to reach such higher efficiency in practice.Документ PHOTOCAPACITY RELAXATION PECULIARITY OF NONIDEAL HETEROSTRUCTURE(Astroprint, 2004) Borshchak, Vitalii A.; Balaban, Andrii P.; Zatovska, Nataliia P.; Kutalova, Mariia I.; Smyntyna, Valentyn A.; Борщак, Віталій Анатолійович; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, Мария Ивановна; Куталова, Марія ІванівнаFor Schottky barrier structures it can be stated thai the contribution of tunneling of non-equilibrium carriers, trapped near the interface, is significant in photocapacilance re¬laxation. For a depletion region width less than 0,3 |im, the application of theory, based on thermal release of centers, to determine the parameters of those centers gives an error close to the measured value. In case of thin barriers the parameters have to be obtained from the slow phase of photocapacitance relaxation.Документ The processes associated with the bifurcation in the current-voltage characteristics(Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2015) Simanovych, Nadiia S.; Karakis, Yurii M.; Kutalova, Mariia I.; Chebanenko, Anatoliy P.; Zatovska, Nataliia P.; Симанович, Надежда Станиславовна; Каракис, Юрий Николаевич; Куталова, Мария Ивановна; Чебаненко, Анатолий Павлович; Затовская, Наталия Петровна; Сіманович, Надія Станіславівна; Каракіс, Юрій Миколайович; Куталова, Марія Іванівна; Чебаненко, Анатолій Павлович; Затовська, Наталія ПетрівнаThe mechanisms leading to the intersection of the dark and light current-voltage characteristics and related phenomena has been considered. The possibility of participation in it as non-equilibrium carriers in the case of solar cells, and the contribution of the equilibrium charge when the temperature impact on the reference diode has been shown. A model explaining the observed features has been built.Документ The study of homogeneous and heterogeneous sensitized crystals Of cadmium sulfide. Part V. Inhomogeneous alloying(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2022) Kulikov, S. S.; Brytavskyi, Yevhen V.; Borshchak, Vitalii A.; Zatovska, Nataliia P.; Kutalova, Mariia I.; Karakis, Yurii M.; Куликов, С. С.; Бритавський, Євген Вікторович; Борщак, Віталій Анатолійович; Затовська, Наталія Петрівна; Куталова, Марія Іванівна; Каракіс, Юрій МиколайовичThe technology of CdS semiconductor crystals processing in the corona discharge is developed. It is established that as a result of this exposure, the samples acquire alternating spectral sensitivity. The observed phenomenon is explained by the emergence of a saddle of the potential barrier in the surface region of the element, the unusual properties which can allow the creation of a new type of device.