Підручники, навчальні посібники та інші науково- та навчально-методичні праці ФМФІТ

Постійне посилання зібрання

https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/9710

Переглянути

Перегляд Підручники, навчальні посібники та інші науково- та навчально-методичні праці ФМФІТ за Автор "Karakis, Yurii M."

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Методические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму " Фотоэлектрические процессы в полупроводниках" для студ. IV курса стационара и V курса заочного отд. физ. фак.
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2011) Чемересюк, Георгий Гаврилович; Каракис, Юрий Николаевич; Каракіс, Юрій Миколайович; Karakis, Yurii M.
    На протяжении ряда лет на физическом факультете Одесского национального университета имени И.И. Мечникова читается специальный курс “Фотоэлектрические процессы в полупроводниках” для студентов, специализирующихся по физике полупроводников и диэлектриков. Практическим подкреплением теоретических положений, рассматриваемых в данном курсе, является выполнение лабораторных работ на специальном практикуме. Этот практикум предусматривает обучение студентов различным методам определения основных параметров полупроводниковых материалов на основе изучения их фотоэлектрических характеристик. В данных методических указаниях рассмотрено 5 работ, посвященных определению скорости поверхностной рекомбинации, оптической ширины запрещённой зоны и других параметров по изучению спектрального распределения фототока; определению времени жизни и диффузионной длины неосновных носителей; а также изучению некоторых эффектов, связанных с наличием двух типов центров рекомбинации - оптического и температурного гашения. Работы выполняются на собранных установках, в которых используется стандартная современная аппаратура. Подробные схемы и детальное описание каждой установки позволяет студентам самостоятельно подготовить образцы и измерительные приборы к работе. В начале каждой работы приведён теоретический материал, позволяющий разобраться в процессах, протекающих в полупроводниках, методике измерений и расчёте параметров образцов. При вычислениях следует учитывать, что традиционно бόльшая часть величин в физике полупроводников имеет смешанную размерность – электрические параметры берутся из системы СИ (А, В, Ом), а геометрические, сечение захвата, расстояние между контактами, размеры образца и т.д. – из системы СГС (см). Поэтому все используемые в данных методических указаниях величины приводятся вместе со своей размерностью. Чтобы избежать ошибок при расчетах следует поступать таким образом. Все величины перед подстановкой в рабочие формулы необходимо перевести в систему СИ. Чаще всего это потребует переводить сантиметры или миллиметры (иногда нанометры) в метры. Ответ при этом, естественно, также будет получен в СИ. Вот его следует вернуть в общепризнанную размерность. Чаще всего это потребует переводить метры в сантиметры. Особое внимание необходимо в расчётах с применением значений температуры (измеряется во внесистемных единицах – 0С, а используется в 0К) и энергии (получается в системных единицах – Дж, а приводится во внесистемных – эВ). Для удобства в завершении методических указаний помещена таблица приставок для образования кратных и дольных величин, а также значения некоторых наиболее употребительных констант. В конце каждой работы приводится список контрольных вопросов. Вопросы повышенной сложности отделены чертой.
  • Ескіз
    Документ
    Методические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму "Физика полупроводниковых приборов"
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2015) Чебаненко, Анатолий Павлович; Зубрицкий, Сергей Всеволодович; Каракис, Юрий Николаевич; Karakis, Yurii M.; Каракіс, Юрій Миколайович
    В течение ряда лет на физическом факультете Одесского национального университета читается специальный курс “Приборы твёрдотельной электроники” для студентов, специализирующихся по физике полупроводников и диэлектриков. Практическим подкреплением теоретических положений, рассматриваемых в данном курсе, является выполнение лабораторных работ на специальном практикуме. Этот практикум предусматривает обучение студентов различным методам исследования характеристик и параметров основных полупроводниковых приборов, используемых в современной электронике. В настоящих методических указаниях рассмотрены работы, посвященные исследованию полупроводниковых приборов, принцип действия которых базируется на свойствах р-n-перехода: выпрямительных диодов, опорных диодов, импульсных диодов, туннельных диодов, фотодиодов. Работы выполняются на собранных установках, в которых используется стандартная аппаратура. В описании каждой задачи приведен теоретический материал, позволяющий разобраться в процессах, протекающих в изучаемых полупроводниковых приборах, а также методике измерений и обработке экспериментальных результатов. При этом существенное внимание уделяется рассмотрению физической модели, снабжаемой по мере необходимости математическими выкладками. Более детальные выводы можно найти в литературе, список которой предлагается в завершении методических указаний. В конце каждой работы приводится список контрольных вопросов. Вопросы повышенной сложности отделены чертой.Методические указания написаны в соответствии с действующей ныне программой дисциплины “Приборы твёрдотельной электроники”. Цель данного издания – помочь студентам специализации “Физика полупроводников и диэлектриков” в их самостоятельной работе над соответствующими курсами. Указания призваны выработать у студентов навыки самостоятельной экспериментальной работы, а также применять теоретические знания для решения практических задач. Для студентов 4-го курса физического факультета специализации “физика полупроводников и диэлектриков”.