Инжекционное усиление в неоднородно легированных полупроводниках

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКурмашев, Шамиль Джамашевич
dc.contributor.authorВикулин, Иван Михайлович
dc.contributor.authorСидорец, Р. Г.
dc.date.accessioned2018-09-06T07:04:28Z
dc.date.available2018-09-06T07:04:28Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractИзучены инжекционные токи и фотоэлектрическое инжекционное усиление в полупроводниковых р—і—n структурах с неравномерным распределением примесей в базовой области. Неоднородное легирование позволяет увеличить коэффициент инжекционного усиления фотоприемниковuk
dc.identifierУДК 621.382
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/18613
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдесский национальный университет имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 12
dc.subjectинжекционные токиuk
dc.subjectфотоэлектрическое инжекционное усилениеuk
dc.subjectфотоприемникuk
dc.titleИнжекционное усиление в неоднородно легированных полупроводникахuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
33-35.pdf
Розмір:
164.65 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics