Инжекционное усиление в неоднородно легированных полупроводниках
Вантажиться...
Дата
2003
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова
Анотація
Изучены инжекционные токи и фотоэлектрическое инжекционное усиление в полупроводниковых
р—і—n структурах с неравномерным распределением примесей в базовой области. Неоднородное легирование позволяет увеличить коэффициент инжекционного усиления фотоприемников
Опис
Ключові слова
инжекционные токи, фотоэлектрическое инжекционное усиление, фотоприемник
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics