Particularities of Current Transfer in The Crystals Wiht two Types of Recombination Centres

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorNovikova, M. A.
dc.contributor.authorKarakis, Yurii M.
dc.contributor.authorKutalova, Mariia I.
dc.contributor.authorКуталова, Марія Іванівна
dc.contributor.authorКуталова, Мария Ивановна
dc.contributor.authorКаракіс, Юрій Миколайович
dc.date.accessioned2018-06-07T12:49:29Z
dc.date.available2018-06-07T12:49:29Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractThe lower limit for concentrations of recombination centers was calculated by change current transfer mechanism on lux-amper characteristics at higher and lower intensity of light. Analytical expression is obtained for dependency of quenching factor (Q) on intensities intrinsic and quenching light. It was stated that intensity of the applied field limited the repeated capture of holes on the centers of slow recombination. On the grounds of studies in temperature changes of Q(T) value (outside the area of temperature quenching) is stated that liberation of the holes occurs in two stages with absorption of phonon, but then — of photon.uk
dc.identifierUDC 621.315.592
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16694
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 14.
dc.subjectphotonuk
dc.subjectlux-amperuk
dc.subjectcalculateduk
dc.subjecttemperatureuk
dc.titleParticularities of Current Transfer in The Crystals Wiht two Types of Recombination Centresuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
58-61.pdf
Розмір:
190.33 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics