Вплив температури на параметри магніточутливих транзисторних структур

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГлауберман, Михайло Абовичuk
dc.contributor.authorЛепіх, Ярослав Іллічuk
dc.contributor.authorГлауберман, Михаил Аббовичru
dc.contributor.authorЛепих, Ярослав Ильичru
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.en
dc.contributor.authorLepikh, Yaroslav I.en
dc.contributor.authorСминтина, Валентин Андрійовичuk
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевичru
dc.date.accessioned2020-04-04T19:28:32Z
dc.date.available2020-04-04T19:28:32Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractНапівпровідникові магніточутливі транзисторні структури (МТС), як показали дослідження, можуть бути основою ефективних сенсорів магнітного поля, а також сенсорів інших фізичних величин. Однак практичне застосування таких сенсорів вимагає для забезпечення високих метрологічних характеристик дослідження впливу дестабілізуючих чинників на самі МТС. В числі основних таких чинників є температура. Дослідженню впливу на основні характеристики МТС температури зовнішнього середовища і присвячена дана робота. Аналізуються механізми впливу температури на МТС, залежність їх характеристик, зокрема перетворювальних параметрів з позицій можливого використання в сенсорах.uk_UA
dc.description.abstractStudies have shown that semiconductor magnetically sensitive transistor structures (MTS) can be the basis of effective magnetic field sensors, as well as sensors of the other physical quantities. However, such sensors practical application requires investigation of the destabilizing factors influence on the MTS themselves to ensure high metrological characteristics. Temperature is among these main factors. The study of the environment temperature influence on the main MTS characteristics is the subject of this work. The mechanisms of the temperature influence on the MTS, their characteristics dependences, in particular, the conversion parameters from the point of view of possible use in sensors, are analyzed.en
dc.description.abstractПолупроводниковые магниточувствительные транзисторные структуры (МТС), как показали исследования, могут быть основой эффективных сенсоров магнитного поля, а также сенсоров других физических величин. Однако практическое применение таких сенсоров требует для обеспечения высоких метрологических характеристик исследования влияния дестабилизирующих факторов на сами МТС. В числе таких основных факторов является температура. Исследованию влияния на основные характеристики МТС температуры внешней среды и посвящена данная работа. Анализируются механизмы влияния температуры на МТС, зависимость их характеристик, в частности преобразовательных параметров с позиций возможного использования в сенсорах.ru
dc.identifierУДК 621.382
dc.identifierhttps://doi.org/10.18524/1815-7459.2020.1.198924
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/27817
dc.language.isouk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk_UA
dc.relation.ispartofseries;Т. 17, № 1.
dc.subjectмагніточутливі транзисторні структуриuk_UA
dc.subjectнапівпровідникuk_UA
dc.subjectтемператураuk_UA
dc.subjectмагнітне полеuk_UA
dc.subjectсенсориuk_UA
dc.subjectmagnetosensitive transistor structuresen
dc.subjectsemiconductoren
dc.subjecttemperatureen
dc.subjectmagnetic fielden
dc.subjectsensorsen
dc.subjectмагниточувствительные транзисторные структурыru
dc.subjectполупроводникru
dc.subjectтемператураru
dc.subjectмагнитное полеru
dc.subjectсенсорыru
dc.titleВплив температури на параметри магніточутливих транзисторних структурuk_UA
dc.titleВлияние температуры на параметры магниточувствительных транзисторных структурru
dc.titleTemperature influence on the magnetic sensitive transistor structures parametersen
dc.typeArticle
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
29-38.pdf
Розмір:
446.18 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології