INFLUENCE OF 3d-IMPURITIES (Cr, Fe, Co, Ni) ON THE POSITION OF ABSORPTION EDGE IN ZINC CHALKOGENIDES

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorNitsuk, Yuriy A.
dc.contributor.authorНицук, Юрий Андреевич
dc.contributor.authorНіцук, Юрій Андрійович
dc.date.accessioned2012-05-25T09:15:48Z
dc.date.available2012-05-25T09:15:48Z
dc.date.issued2011
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2011. - англ.uk
dc.description.abstractThe zinc chalkogenides (ZnS,ZnSe,ZnTe) single crystals doped with 3d-impurityes (Cr,Fe,Co,Ni) are investigated.The diffusion doping is carried out from metallic chromium and nickel or powderlike iron and cobalt in helium and argon atmosphere.The optical density spectra are investigated in the fundamental absorption range of ZnS,ZnSe, ZnTe crystals.The transition-metal elements doping of crystals results in the absorption edge shift toward lower energies.From the value of the absorption edge shift,the 3d-impuryty concentrations in crystals under investigation is determined.uk
dc.description.abstractИсследованы монокристаллы халькогенидов цинка (ZnS,ZnSe,ZnTe),легированные 3d-примесями (Cr,Fe,Co,Ni).Диффузионное легирование осуществлялась из металлического хрома и никеля или порошкообразного железа и кобальта в атмосфере гелия и аргона. Исследованы спектры оптической плотности в области фундаментального поглощения кристаллов ZnS,ZnSe,ZnTe.Показано,что легирование элементами переходных металлов приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны исследуемых кристаллов.По величине смещения края поглощения определены концентрации 3d-примесей в исследуемых кристаллах.uk
dc.description.abstractДосліджено монокристали халькогенідів цинку (ZnS,ZnSe,ZnTe),що леговані 3d-домішками (Cr,Fe,Co,Ni).Дифузійне легування виконувалось з металевого хрому та нікелю або порошкоподібного заліза та кобальту в атмосфері гелію та аргону.Досліджено спектри оптичної густини в області краю фундаментального поглинання кристалів ZnS,ZnSe,ZnTe.Показано,що легування елементами перехідних металів призводить до зменшення ширини забороненої зони в досліджуваних кристалах.За величиною зсуву краю поглинання визначені концентрації 3d-домішок в досліджуваних кристалах.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2480
dc.language.isoenuk
dc.publisherAstroprintuk
dc.relation.ispartofseries;Вип.20,С.67-70
dc.subjectzink chalkogenidesuk
dc.subject3d-impurytiesuk
dc.subjectoptical-densityuk
dc.subjectband gap shiftuk
dc.subjectхалькогениды цинкаuk
dc.subject3d-примесиuk
dc.subjectоптическая плотностьuk
dc.subjectизменение ширины запрещенной зоныuk
dc.subjectхалькогеніди цинкуuk
dc.subject3d-домішкиuk
dc.subjectоптична густинаuk
dc.subjectзміна ширини забороненої зониuk
dc.titleINFLUENCE OF 3d-IMPURITIES (Cr, Fe, Co, Ni) ON THE POSITION OF ABSORPTION EDGE IN ZINC CHALKOGENIDESuk
dc.title.alternativeВЛИЯНИЕ 3d-ПРИМЕСЕЙ (Cr, Fe, Co, Ni) НА ПОЛОЖЕНИЕ КРАЯ ПОГЛОЩЕНИЯ В ХАЛЬКОГЕНИДАХ ЦИНКАuk
dc.title.alternativeВПЛИВ 3d-ДОМІШОК (Cr, Fe, Co, Ni) НА ПОЛОЖЕННЯ КРАЮ ПОГЛИНАННЯ В ХАЛЬКОГЕНІДАХ ЦИНКУuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
фото_20_67-70.pdf
Розмір:
129.29 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics