INFLUENCE OF 3d-IMPURITIES (Cr, Fe, Co, Ni) ON THE POSITION OF ABSORPTION EDGE IN ZINC CHALKOGENIDES
Вантажиться...
Дата
2011
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Astroprint
Анотація
The zinc chalkogenides (ZnS,ZnSe,ZnTe) single crystals doped with 3d-impurityes (Cr,Fe,Co,Ni) are investigated.The diffusion doping is carried out from metallic chromium and nickel or powderlike iron and cobalt in helium and argon atmosphere.The optical density spectra are investigated in the fundamental absorption range of ZnS,ZnSe, ZnTe crystals.The transition-metal elements doping of crystals results in the absorption edge shift toward lower energies.From the value of the absorption edge shift,the 3d-impuryty concentrations in crystals under investigation is determined.
Исследованы монокристаллы халькогенидов цинка (ZnS,ZnSe,ZnTe),легированные 3d-примесями (Cr,Fe,Co,Ni).Диффузионное легирование осуществлялась из металлического хрома и никеля или порошкообразного железа и кобальта в атмосфере гелия и аргона. Исследованы спектры оптической плотности в области фундаментального поглощения кристаллов ZnS,ZnSe,ZnTe.Показано,что легирование элементами переходных металлов приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны исследуемых кристаллов.По величине смещения края поглощения определены концентрации 3d-примесей в исследуемых кристаллах.
Досліджено монокристали халькогенідів цинку (ZnS,ZnSe,ZnTe),що леговані 3d-домішками (Cr,Fe,Co,Ni).Дифузійне легування виконувалось з металевого хрому та нікелю або порошкоподібного заліза та кобальту в атмосфері гелію та аргону.Досліджено спектри оптичної густини в області краю фундаментального поглинання кристалів ZnS,ZnSe,ZnTe.Показано,що легування елементами перехідних металів призводить до зменшення ширини забороненої зони в досліджуваних кристалах.За величиною зсуву краю поглинання визначені концентрації 3d-домішок в досліджуваних кристалах.
Исследованы монокристаллы халькогенидов цинка (ZnS,ZnSe,ZnTe),легированные 3d-примесями (Cr,Fe,Co,Ni).Диффузионное легирование осуществлялась из металлического хрома и никеля или порошкообразного железа и кобальта в атмосфере гелия и аргона. Исследованы спектры оптической плотности в области фундаментального поглощения кристаллов ZnS,ZnSe,ZnTe.Показано,что легирование элементами переходных металлов приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны исследуемых кристаллов.По величине смещения края поглощения определены концентрации 3d-примесей в исследуемых кристаллах.
Досліджено монокристали халькогенідів цинку (ZnS,ZnSe,ZnTe),що леговані 3d-домішками (Cr,Fe,Co,Ni).Дифузійне легування виконувалось з металевого хрому та нікелю або порошкоподібного заліза та кобальту в атмосфері гелію та аргону.Досліджено спектри оптичної густини в області краю фундаментального поглинання кристалів ZnS,ZnSe,ZnTe.Показано,що легування елементами перехідних металів призводить до зменшення ширини забороненої зони в досліджуваних кристалах.За величиною зсуву краю поглинання визначені концентрації 3d-домішок в досліджуваних кристалах.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2011. - англ.
Ключові слова
zink chalkogenides, 3d-impuryties, optical-density, band gap shift, халькогениды цинка, 3d-примеси, оптическая плотность, изменение ширины запрещенной зоны, халькогеніди цинку, 3d-домішки, оптична густина, зміна ширини забороненої зони
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics