Study in degradation mechanism of adsorption sensitivity and increase of stability of oxygen microelectronic sensors

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorVashpanov, Yurii O.
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.
dc.date.accessioned2018-06-01T13:56:00Z
dc.date.available2018-06-01T13:56:00Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractThe degradation mechanism of adsorption sensitivity for thin semiconductor films is investigated. On the base of the carried research it is established that thin films of cadmium selenide and zinc oxide with doping surface of indiums’ atoms have high adsorption sensitivity and stability to oxygen adsorption. This effect is connected with electronic and chemical properties of indiums’ clusters on surface of semiconductor films.uk
dc.identifierUDC 621.315.592
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16448
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 10.
dc.subjectseleniumuk
dc.subjectdiffusionuk
dc.subjectoxygenuk
dc.subjectelectronsuk
dc.titleStudy in degradation mechanism of adsorption sensitivity and increase of stability of oxygen microelectronic sensorsuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
75-77.pdf
Розмір:
166.58 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics