Study in degradation mechanism of adsorption sensitivity and increase of stability of oxygen microelectronic sensors
Альтернативна назва
Вантажиться...
Дата
2001
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
The degradation mechanism of adsorption sensitivity for thin semiconductor films
is investigated. On the base of the carried research it is established that thin films of
cadmium selenide and zinc oxide with doping surface of indiums’ atoms have high
adsorption sensitivity and stability to oxygen adsorption. This effect is connected with
electronic and chemical properties of indiums’ clusters on surface of semiconductor films.
Опис
Ключові слова
selenium, diffusion, oxygen, electrons
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics