Вплив попереднього ультрафіолетового засвітлення на голографічні характеристики адитивно забарвлених кристалів КСI
Вантажиться...
Дата
2002
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Встановлено, що ультрафіолетове опромінення адитивно забарвлених кристалів КСI
приводить до утворення в них глибоких електронних пасток. Висловлене припущення, що
за ці пастки відповідальні іони кисню і водню, розташовані в аніонних вакансіях. Утворення
глибоких пасток приводить до значного поліпшення голографічних характеристик
кристалів при запису в них тривимірних голограмам.
Опис
Ключові слова
кристал, адитив, аніонна вакансія, тривимірна голограма
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics