Вплив попереднього ультрафіолетового засвітлення на голографічні характеристики адитивно забарвлених кристалів КСI

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВладимиров, Д. О.uk
dc.contributor.authorМандель, Володимир Юхимовичuk
dc.contributor.authorПопов, Андрій Юрійовичuk
dc.contributor.authorТюрін, Олександр Валентиновичuk
dc.contributor.authorVladymyrov, D. O.en
dc.contributor.authorMandel, Volodymyr Yu.en
dc.contributor.authorPopov, Andrey Yu.en
dc.contributor.authorTyurin, Oleksandr V.en
dc.date.accessioned2018-06-06T09:53:02Z
dc.date.available2018-06-06T09:53:02Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractВстановлено, що ультрафіолетове опромінення адитивно забарвлених кристалів КСI приводить до утворення в них глибоких електронних пасток. Висловлене припущення, що за ці пастки відповідальні іони кисню і водню, розташовані в аніонних вакансіях. Утворення глибоких пасток приводить до значного поліпшення голографічних характеристик кристалів при запису в них тривимірних голограмам.uk
dc.identifierУДК 535.317.1
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16623
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 11.
dc.subjectкристалuk
dc.subjectадитивuk
dc.subjectаніонна вакансіяuk
dc.subjectтривимірна голограмаuk
dc.titleВплив попереднього ультрафіолетового засвітлення на голографічні характеристики адитивно забарвлених кристалів КСIuk
dc.typeArticle
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
98-99.pdf
Розмір:
139.09 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics