Luminescence of Zinc Selenide Single Crystals doped with indium

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorVaksman, Yurii F.
dc.contributor.authorNitsuk, Yurii A.
dc.contributor.authorPurtov, Yu. N.
dc.contributor.authorIgnatenko, S. A.
dc.contributor.authorKorostelin, Yu. V.
dc.contributor.authorKozlovsky, V. I.
dc.contributor.authorNasibov, A. S.
dc.contributor.authorShapkin, P. V.
dc.contributor.authorВаксман, Юрій Федорович
dc.contributor.authorНіцук, Юрій Андрійович
dc.date.accessioned2018-06-01T13:21:55Z
dc.date.available2018-06-01T13:21:55Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractThe spectra of edge and long wavelength photoluminescence for single crystals ZnSe:In, obtained by free growth procedure are investigated. Spectrum of edge emission for low doped crystals ([In] = 1016 ст~ъ) is characterised by lines of emission of free excitons and donor-acceptor pairs (DAP). At concentrations of indium higher 1017 ctrr3, the emission of excitons, bounded on neutral zinc vacancies, appears. Spectrum of a long wavelength luminescence evidences the presence in the crystals, charged vacancies of zinc (V7 ., Vz2„) included in composition of DAP.uk
dc.identifierUDC 621.315.592
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16439
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 10.
dc.subjectsemiconductoruk
dc.subjectphotoluminescenceuk
dc.subjectcrystalsuk
dc.subjectspectrophotometeruk
dc.titleLuminescence of Zinc Selenide Single Crystals doped with indiumuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
58-60.pdf
Розмір:
166.26 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics