Влияние окружающей диэлектрической среды на характеристики полупроводниковых лазеров

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федор Александрович
dc.contributor.authorВолков, И. А.
dc.contributor.authorГрупп, А. Г.
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.date.accessioned2018-06-01T12:24:33Z
dc.date.available2018-06-01T12:24:33Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractИзучено влияние жидкой диэлектрической среды на пороговый ток, интенсивность излучения и угловое распределение излучения в ТЕ и ТМ модах полупроводниковых лазеров на основе двойных гетероструктур GaAs—AlGaAs с полосковой геометрией. Показано, что увеличение показателя преломления окружающей среды, кроме повышения порогового тока, изменяет угловое распределение излучения в ТЕ и ТМ модах. Данное явление объясняется влиянием внешней среды на пороговое значение инверсной населенности в активной области и может быть использовано для улучшения пространственных параметров лазерного излучения.uk
dc.identifierУДК 621.319
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16435
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 9.
dc.subjectдиэлектрическая средаuk
dc.subjectпороговый токuk
dc.subjectполупроводникuk
dc.subjectгетероструктураuk
dc.titleВлияние окружающей диэлектрической среды на характеристики полупроводниковых лазеровuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
103-107.pdf
Розмір:
266.45 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics