Влияние окружающей диэлектрической среды на характеристики полупроводниковых лазеров
Альтернативна назва
Вантажиться...
Дата
2000
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Изучено влияние жидкой диэлектрической среды на пороговый ток, интенсивность
излучения и угловое распределение излучения в ТЕ и ТМ модах полупроводниковых
лазеров на основе двойных гетероструктур GaAs—AlGaAs с полосковой геометрией.
Показано, что увеличение показателя преломления окружающей среды, кроме повышения
порогового тока, изменяет угловое распределение излучения в ТЕ и ТМ модах.
Данное явление объясняется влиянием внешней среды на пороговое значение инверсной
населенности в активной области и может быть использовано для улучшения пространственных
параметров лазерного излучения.
Опис
Ключові слова
диэлектрическая среда, пороговый ток, полупроводник, гетероструктура
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics