Determination of band gap of semiconductor material in end product

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBak, A. Yu.
dc.contributor.authorKarakis, Yurii M.
dc.contributor.authorKutalova, Mariia I.
dc.contributor.authorChebanenko, Anatoliy P.
dc.contributor.authorБак, А. Ю.
dc.contributor.authorКаракіс, Юрій Миколайович
dc.contributor.authorСтупак, Олександра Едуардівна
dc.contributor.authorКуталова, Марія Іванівна
dc.contributor.authorЧебаненко, Анатолій Павлович
dc.contributor.authorStupak, Oleksandra E.
dc.contributor.authorБак, А. Ю.
dc.contributor.authorКаракис, Юрий Николаевич
dc.contributor.authorСтупак, Александра Эдуардовна
dc.contributor.authorКуталова, Мария Ивановна
dc.contributor.authorЧебаненко, Анатолий Павлович
dc.date.accessioned2015-02-06T13:59:33Z
dc.date.available2015-02-06T13:59:33Z
dc.date.issued2014
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2014. - англuk
dc.description.abstractThe paper puts forward a method for determination of semiconductor activation energy in end product. It is illustrated that band gap can be calculated at cutoffs on both axes of graphs ln(I) ÷U, measured at different temperatures. Minimum temperature interval is determined depending on measuring accuracy. A new method for determination of value Eg without VAC extrapolation is put forward.uk
dc.description.abstractЗапропоновано метод визначення енергії активації напівпровідника в готовому виробі. Показано, що ширину забороненої зони можливо розрахувати по відсічкам на обох осях графіків ln(I)÷U, виміряних при різних температурах. Визначений мінімальний температурний інтервал в залежності від точності вимірювань. Вказано новий засіб визначення Еg без екстраполяції ВАХ.uk
dc.description.abstractПредложен метод определения энергии активации полупроводника в готовом изделии. Показано, что ширину запрещённой зоны можно рассчитать по отсечкам на обеих осях графиков ln(I)÷U, измеренных при разных температурах. Определён минимальный температурный интервал в зависимости от точности измерений. Указан новый способ определения величины Еg без экстраполяции ВАХ.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/5762
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдесский национальный университет имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 23, р. 124-130.
dc.subjectdetermination of band gapuk
dc.subjectsemiconductor materialuk
dc.subjectactivation energyuk
dc.subjectширина забороненої зониuk
dc.subjectенергія активаціїuk
dc.subjectнапівпровідникuk
dc.subjectширина запрещенной зоныuk
dc.subjectэнергия активацииuk
dc.subjectполупроводникuk
dc.titleDetermination of band gap of semiconductor material in end productuk
dc.title.alternativeВизначення ширини забароненої зони напівпровідникового матеріалу в готовому виробіuk
dc.title.alternativeОпределение ширины запрещённой зоны полупроводникового материала в готовом изделииuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
124-130+.pdf
Розмір:
460.05 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics