Determination of band gap of semiconductor material in end product
| dc.contributor.author | Bak, A. Yu. | |
| dc.contributor.author | Karakis, Yurii M. | |
| dc.contributor.author | Kutalova, Mariia I. | |
| dc.contributor.author | Chebanenko, Anatoliy P. | |
| dc.contributor.author | Бак, А. Ю. | |
| dc.contributor.author | Каракіс, Юрій Миколайович | |
| dc.contributor.author | Ступак, Олександра Едуардівна | |
| dc.contributor.author | Куталова, Марія Іванівна | |
| dc.contributor.author | Чебаненко, Анатолій Павлович | |
| dc.contributor.author | Stupak, Oleksandra E. | |
| dc.contributor.author | Бак, А. Ю. | |
| dc.contributor.author | Каракис, Юрий Николаевич | |
| dc.contributor.author | Ступак, Александра Эдуардовна | |
| dc.contributor.author | Куталова, Мария Ивановна | |
| dc.contributor.author | Чебаненко, Анатолий Павлович | |
| dc.date.accessioned | 2015-02-06T13:59:33Z | |
| dc.date.available | 2015-02-06T13:59:33Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.description | Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2014. - англ | uk |
| dc.description.abstract | The paper puts forward a method for determination of semiconductor activation energy in end product. It is illustrated that band gap can be calculated at cutoffs on both axes of graphs ln(I) ÷U, measured at different temperatures. Minimum temperature interval is determined depending on measuring accuracy. A new method for determination of value Eg without VAC extrapolation is put forward. | uk |
| dc.description.abstract | Запропоновано метод визначення енергії активації напівпровідника в готовому виробі. Показано, що ширину забороненої зони можливо розрахувати по відсічкам на обох осях графіків ln(I)÷U, виміряних при різних температурах. Визначений мінімальний температурний інтервал в залежності від точності вимірювань. Вказано новий засіб визначення Еg без екстраполяції ВАХ. | uk |
| dc.description.abstract | Предложен метод определения энергии активации полупроводника в готовом изделии. Показано, что ширину запрещённой зоны можно рассчитать по отсечкам на обеих осях графиков ln(I)÷U, измеренных при разных температурах. Определён минимальный температурный интервал в зависимости от точности измерений. Указан новый способ определения величины Еg без экстраполяции ВАХ. | uk |
| dc.identifier.citation | Фотоэлектроника = Photoelectronics | uk |
| dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/5762 | |
| dc.language.iso | en | uk |
| dc.publisher | Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова | uk |
| dc.relation.ispartofseries | ;№ 23, р. 124-130. | |
| dc.subject | determination of band gap | uk |
| dc.subject | semiconductor material | uk |
| dc.subject | activation energy | uk |
| dc.subject | ширина забороненої зони | uk |
| dc.subject | енергія активації | uk |
| dc.subject | напівпровідник | uk |
| dc.subject | ширина запрещенной зоны | uk |
| dc.subject | энергия активации | uk |
| dc.subject | полупроводник | uk |
| dc.title | Determination of band gap of semiconductor material in end product | uk |
| dc.title.alternative | Визначення ширини забароненої зони напівпровідникового матеріалу в готовому виробі | uk |
| dc.title.alternative | Определение ширины запрещённой зоны полупроводникового материала в готовом изделии | uk |
| dc.type | Article | uk |