Структурно-фазові перетворення в плівках на границі розділу гетеросистеми «скло – кластери Ag-Pd» – Sn-Pb
Вантажиться...
Дата
2021
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Досліджено структурно-фазові перетворення у плівках на границі розділу ге-
теро системи «скло – кластери Ag-Pd» – Sn-Pb.
Встановлено зв’язок цих перетворень з дисперсністю вихідних компонентів матеріалів
системи за однакових температурних режимів обробки плівкових елементів.
Показано, що структурно-фазові перетворення в контактних елементах мікроелектрон-
них пристроїв гібридних інтегральних схем, сенсорів, сонячних елементів тощо виготовлених
з функціональних матеріалів на основі вказаної системи можуть призводити до деградаційних
процесів і, як наслідок, до зниження надійності радіоелектронних виробів.
Structural-phase transformations in films at the interface of the heterosystem "glass - Ag-Pd clusters" – Sn-Pb have been investigated. The relationship between these transformations and the initial system material component dispersion is established at the same film element temperature operating mode. Т. І. Лавренова, Sensor Electronics and Мicrosystem Technologies 2021 – T. 18, № 2 15 It is shown that structural-phase transformations in contact elements of hybrid integrated circuits microelectronic devices, sensors and solar cells, etc. made of functional materials based on the specified heterosystem can lead to degradation processes and, as a consequence, to a decrease in the electronic product reliability.
Исследованы структурно-фазовые превращения в пленках на границе раздела гетеросистемы «стекло - кластеры Ag-Pd» – Sn-Pb. Установлена связь этих преобразований с дисперсностью исходных компонентов мате- риалов системы при одинаковых температурных режимах обработки пленочных элементов. Показано, что структурно-фазовые превращения в контактных элементах микроэлектрон- ных устройств гибридных интегральных схем, сенсоров, солнечных элементов и т.п. изготов- ленных из функциональных материалов на основе указанной системы могут приводить к дегра- дационным процессам и, как следствие, к снижению надежности радиоэлектронных изделий.
Structural-phase transformations in films at the interface of the heterosystem "glass - Ag-Pd clusters" – Sn-Pb have been investigated. The relationship between these transformations and the initial system material component dispersion is established at the same film element temperature operating mode. Т. І. Лавренова, Sensor Electronics and Мicrosystem Technologies 2021 – T. 18, № 2 15 It is shown that structural-phase transformations in contact elements of hybrid integrated circuits microelectronic devices, sensors and solar cells, etc. made of functional materials based on the specified heterosystem can lead to degradation processes and, as a consequence, to a decrease in the electronic product reliability.
Исследованы структурно-фазовые превращения в пленках на границе раздела гетеросистемы «стекло - кластеры Ag-Pd» – Sn-Pb. Установлена связь этих преобразований с дисперсностью исходных компонентов мате- риалов системы при одинаковых температурных режимах обработки пленочных элементов. Показано, что структурно-фазовые превращения в контактных элементах микроэлектрон- ных устройств гибридных интегральных схем, сенсоров, солнечных элементов и т.п. изготов- ленных из функциональных материалов на основе указанной системы могут приводить к дегра- дационным процессам и, как следствие, к снижению надежности радиоэлектронных изделий.
Опис
Ключові слова
гетеросистеми «скло - кластери», границя поділу, структурно-фазові перетворення, heterosystems "glass - clusters", interface, structural-phase transformations, гетеросистемы «стекло - кластеры», граница раздела, структурно-фазовые превращения
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies