Температурное гашение электролюминесценции в полупроводниковых структурах на основе соединений А3В5

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКалиниченко, Л. Ф.
dc.contributor.authorТерлецкая, Л. Л.
dc.date.accessioned2018-09-05T10:45:28Z
dc.date.available2018-09-05T10:45:28Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractКвантовая эффективность электролюминесценции светоизлучающих структур на основе арсенида галлия и тройных соединений GaAs1-х Pх и Ga1-хAlхAs при изменении температуры от 77 К до 340 К уменьшается на порядок.uk
dc.identifierУДК 621.315
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/18608
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдесский национальный университет имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 12
dc.subjectквантовая эффективностьuk
dc.subjectэлектролюминесценцияuk
dc.subjectполупроводниковые структурыuk
dc.titleТемпературное гашение электролюминесценции в полупроводниковых структурах на основе соединений А3В5uk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
10-12.pdf
Розмір:
191.7 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics