Температурное гашение электролюминесценции в полупроводниковых структурах на основе соединений А3В5
Вантажиться...
Файли
Дата
2003
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова
Анотація
Квантовая эффективность электролюминесценции светоизлучающих структур на основе арсенида галлия и тройных соединений GaAs1-х Pх и Ga1-хAlхAs при изменении температуры от 77 К до 340 К уменьшается на порядок.
Опис
Ключові слова
квантовая эффективность, электролюминесценция, полупроводниковые структуры
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics