FACTORS INFLUENCING THE YIELD STRESS OF SILICON

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.
dc.contributor.authorKulinich, O. A.
dc.contributor.authorIatsunskyi, Igor R.
dc.contributor.authorMarchuk, I. A.
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич
dc.contributor.authorКулинич, О. А.
dc.contributor.authorЯцунский, Игорь Ростиславович
dc.contributor.authorМарчук, И. А.
dc.date.accessioned2010-09-06T09:23:41Z
dc.date.available2010-09-06T09:23:41Z
dc.date.issued2010
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2010. - Вып. 19. - 2010.uk
dc.description.abstractFactors influencing the yield stress of silicon are investigated with advanced research methods. It is shown that elastic stresses which are concentrated at the structural defects (dislocation, crystalline grain boundary, dendrite and lamella) will influence on the yield stress of silicon. Используя современные методы исследования, определенны факторы, влияющие на величину порога пластичности монокристаллического кремния. Наряду с известными факторами, величина порога пластичности будет зависеть от упругих напряжений, локализованных в области нахождения структурных дефектов.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/189
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 19. - Р. - 120 - 126.
dc.subjectsiliconuk
dc.subjectstructural defectsuk
dc.subjectthe yield stressuk
dc.subjectкремнийuk
dc.subjectструктурные дефектыuk
dc.subjectпорог пластичностиuk
dc.titleFACTORS INFLUENCING THE YIELD STRESS OF SILICONuk
dc.title.alternativeФАКТОРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА ВЕЛИЧИНУ ПОРОГА ПЛАСТИЧНОСТИ В КРЕМНИИuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
fotoel_19_2010_120-124.pdf
Розмір:
560.2 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics