FACTORS INFLUENCING THE YIELD STRESS OF SILICON
Loading...
Date
2010
Advisor
Compiler
Editor
Journal Title
ISSN
E-ISSN
Volume Title
Publisher
Астропринт
Abstract
Factors influencing the yield stress of silicon are investigated with advanced research methods. It is shown that elastic stresses which
are concentrated at the structural defects (dislocation, crystalline grain boundary, dendrite and lamella) will influence on the yield stress
of silicon. Используя современные методы исследования, определенны факторы, влияющие на величину порога пластичности
монокристаллического кремния. Наряду с известными факторами, величина порога пластичности будет зависеть от упругих
напряжений, локализованных в области нахождения структурных дефектов.
Description
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2010. - Вып. 19. - 2010.
Keywords
silicon, structural defects, the yield stress, кремний, структурные дефекты, порог пластичности
Citation
Фотоэлектроника = Photoelectronics