Кінетика поверхневого струму, пов’язаного з адсорбцією іонів, у p - n переходах

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorАртеменко, Анатолій Григорович
dc.contributor.authorПтащенко, Ф. О.
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.date.accessioned2018-09-08T06:58:31Z
dc.date.available2018-09-08T06:58:31Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractДосліджено кінетику наростання і спаду поверхневого струму в р—п структурах на основі GaAs при адсорбції та десорбції молекул аміаку при температурах 290—330 К. Результати пояснюються утворенням провідного поверхневого каналу під дією електричного поля іонів аміаку, що знаходяться на поверхні власного оксиду. Чисельними розрахунками проаналізовано моделі утворення і знищення вказаного каналу, що враховують наявність двох типів глибоких поверхневих рівнів з різними рекомбінаційними параметрами. Кінетика наростання і спадання поверхневого струму при адсорбції та десорбції молекул NH3 свідчить про наявність в р—п структурах рекомбінаційних центрів з малим перерізом захоплення електронів, причому існує потенціальний бар’єр висотою А£ = 0, 1. Вступ Наявність у навколишній атмосфері парів аміаку, який є сильним донором на поверхні напівпровідників А3В5, сильно змінює прямий і зворотний струми р— п структур [1, 2], що можна використати для створення газових сенсорів. Попередні дослідження показали, що кінетика наростання надлишкового поверхневого струму (НПС) при підвищенні концентрації аміаку в навколишній атмосфері значно повільніша, ніж кінетика спадання струму при зменшенні парціального тиску аміаку. Кінетика наростання НПС в p—n гомо- і гетероструктурах після введення парів NH3 у навколишню атмосферу звичайно була експоненціальною [1]. Час релаксації струму зростав від 20 до 60 с при підвищенні тиску парів аміаку від 102 до 3 1 03 Па. Кінетика спадання НПС після перенесення зразків у атмосферу без аміаку також була експоненціальною, але час релаксації струму зменшувався від 8 до 2 с при підвищенні початкового парціального тиску парів аміаку в тому ж діапазоні [1, 2].uk
dc.identifierУДК 621.319
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/18648
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 12
dc.subjectповерхневий струмuk
dc.subjectp—n переходиuk
dc.subjectадсорбціяuk
dc.titleКінетика поверхневого струму, пов’язаного з адсорбцією іонів, у p - n переходахuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
50-53.pdf
Розмір:
232.2 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics