Кінетика поверхневого струму, пов’язаного з адсорбцією іонів, у p - n переходах
Вантажиться...
Файли
Дата
2003
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Досліджено кінетику наростання і спаду поверхневого струму в р—п структурах на основі GaAs при адсорбції та десорбції молекул аміаку при температурах 290—330 К. Результати пояснюються утворенням провідного поверхневого каналу під дією електричного поля іонів аміаку, що знаходяться на поверхні власного оксиду. Чисельними розрахунками проаналізовано моделі утворення і знищення вказаного каналу, що враховують наявність двох типів глибоких поверхневих рівнів з різними рекомбінаційними параметрами. Кінетика наростання і спадання поверхневого струму при адсорбції та десорбції молекул NH3 свідчить про наявність в р—п структурах рекомбінаційних центрів з малим
перерізом захоплення електронів, причому існує потенціальний бар’єр висотою А£ = 0, 1. Вступ
Наявність у навколишній атмосфері парів аміаку, який є сильним донором на поверхні напівпровідників
А3В5, сильно змінює прямий і зворотний струми р— п структур [1, 2], що можна використати для створення газових сенсорів. Попередні дослідження показали, що кінетика наростання надлишкового поверхневого струму (НПС) при підвищенні концентрації аміаку в навколишній атмосфері значно повільніша, ніж кінетика спадання струму при зменшенні парціального тиску аміаку. Кінетика наростання НПС в p—n гомо- і гетероструктурах після введення парів NH3 у навколишню атмосферу звичайно
була експоненціальною [1]. Час релаксації струму зростав від 20 до 60 с при підвищенні тиску парів аміаку від 102 до 3 1 03 Па. Кінетика спадання НПС після перенесення зразків у атмосферу без аміаку також була експоненціальною, але час релаксації струму зменшувався від 8 до 2 с при підвищенні початкового парціального тиску парів аміаку в тому ж діапазоні [1, 2].
Опис
Ключові слова
поверхневий струм, p—n переходи, адсорбція
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics