Features luminous conductivity in the crystals treated in a corona discharge

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorMinaeva, O. P.
dc.contributor.authorSimanovych, Nadiia S.
dc.contributor.authorZatovska, Nataliia P.
dc.contributor.authorKarakis, Yurii M.
dc.contributor.authorKutalova, Mariia I.
dc.contributor.authorChemeresiuk, Heorhii H.
dc.contributor.authorМінаева, О. П.
dc.contributor.authorСиманович, А. С.
dc.contributor.authorЗатовська, Наталія Петрівна
dc.contributor.authorКаракіс, Юрій Миколайович
dc.contributor.authorКуталова, Марія Іванівна
dc.contributor.authorЧемересюк, Георгій Гаврилович
dc.contributor.authorМинаева, О. П.
dc.contributor.authorСиманович, А. С.
dc.contributor.authorЗатовская, Наталия Петровна
dc.contributor.authorКаракис, Юрий Николаевич
dc.contributor.authorКуталова, Мария Ивановна
dc.contributor.authorЧемересюк, Георгий Гаврилович
dc.date.accessioned2016-12-12T11:34:30Z
dc.date.available2016-12-12T11:34:30Z
dc.date.issued2016
dc.description.abstractThe technology of processing of semiconductor crystals is developed in the corona discharge. It is established that as a result of this exposure, the samples acquire alternating spectral sensitivity. The observed phenomenon is explained by the emergence of a saddle of the potential barrier in the surface region of the element, the unusual properties which can allow the creation of a new type of device.uk
dc.description.abstractРозроблено технологію обробки напівпровідникових кристалів у коронному розряді. Встановлено, що в результаті цього впливу зразки набувають знакоперемінну спектральну чутливість. Явища, що спостерігаються, пояснені виникненням двосхилого потенційного бар'єра в приповерхній області елемента, незвичайні властивості якого можуть дозволити створення приладу нового типу.uk
dc.description.abstractРазработана технология обработки полупроводниковых кристаллов в коронном разряде. Установлено, что в результате этого воздействия образцы приобретают знакопеременную спектральную чувствительность. Наблюдаемые явления объяснены возникновением двухскатного потенциального барьера в приповерхностной области элемента, необычные свойства которого могут позволить создание прибора нового типа.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/9117
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries25;
dc.subjectluminous conductivityuk
dc.subjectthe crystalsuk
dc.subjectcorona dischargeuk
dc.subjectкристалиuk
dc.subjectкоронний розрядuk
dc.subjectсвітлова провідністьuk
dc.subjectкристаллыuk
dc.subjectкоронный разрядuk
dc.subjectсветовая проводимостьuk
dc.titleFeatures luminous conductivity in the crystals treated in a corona dischargeuk
dc.title.alternativeОсобливості світлової провідності в кристалах, оброблених у коронному розрядіuk
dc.title.alternativeОсобенности световой проводимости в кристаллах, обработанных в коронном разрядеuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
131-140.pdf
Розмір:
885.31 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics