Investigation of the causes of silicon MOS — transistor parameters catastrophic degradation

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKulinich, O.
dc.contributor.authorGlauberman, Mykhailo A.
dc.contributor.authorChemeresuk, Geogriy G.
dc.contributor.authorYatsunsky, I.
dc.contributor.authorКулініч, О. А.
dc.contributor.authorГлауберман, Михайло Абович
dc.contributor.authorЧемересюк, Георгій Гаврилович
dc.contributor.authorЯцунский, І. Р.
dc.contributor.authorКулинич, О. А.
dc.contributor.authorГлауберман, Михаил Аббович
dc.contributor.authorЧемересюк, Георгий Гаврилович
dc.contributor.authorЯцунский, И. Р.
dc.date.accessioned2010-09-23T12:18:37Z
dc.date.available2010-09-23T12:18:37Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractThe paper is aimed at finding out the causes of the catastrophic degradation of parameters of silicon MOS-transistors, formed by the ordinary planar technology. The basic causes of degradation have been found to be: - thermal compression contacts rupture, which can be explained by formation of intermetallic compounds in the contact area, resulting in brittleness of the contacts, - breaking of the metallic interconnections and contact pads integrity, resulting from inobservance of the photolithography technological conditions as well as from presence of a developed defect structure on the silicon surface and formation of silicide compounds.Робота присвячена виявленню причин катастрофічної деградації деградації параметрів кремнієвих МОН- транзисторів, які були сформовані за звичайною планарною технологією. Встановлено, що основними причинами деградації є:-обрив термокомпресійних контактів, який можна пояснити виникненням в районі контакту інтерметалевих з'єднань, що приводить до охрупчування контактів; - порушення цільності металевої розводки і контактних площин, виникаючих в наслідок порушення технологічних режимів фотолітографії, а також присутності розвиненої дефектної структури на поверхні кремнію і виникнення сіліцидних сполук. Работа посвящена выявлению причин катастрофической деградации параметров кремниевых транзисторов, которые были сформированы по обычной планарной технологии. Установлено, что основными причинами деградации являются: - обрыв термокомпрессионных контактов, которые можно объяснить образованием в районе контакта интерметаллических соединений, приводящих к охрупчиванию контактов; - нарушение цельности металлической разводки и контактных площадок, возникающие вследствие нарушения технологических режимов фотолитографии, а также присутствия развитой дефектной структуры на поверхности кремния и образования силицидных соединений.uk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologiesuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/539
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 1.
dc.subjectcatastrophic degradationuk
dc.subjectMOS — transistouk
dc.subjectsiliconuk
dc.subjectкатастрофічна деградаціяuk
dc.subjectМОН — транзисторuk
dc.subjectкремнійuk
dc.subjectкатастрофическая деградацияuk
dc.subjectМОП — транзисторuk
dc.subjectкремнийuk
dc.titleInvestigation of the causes of silicon MOS — transistor parameters catastrophic degradationuk
dc.title.alternativeДослідження причин катастрофічної деградації параметрів кремнієвих МОН — транзисторівuk
dc.title.alternativeИсследование причин катастрофической деградации параметров кремниевых МОП - транзисторовuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
85 - 89.pdf
Розмір:
327.99 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології