ВПЛИВ ПОВЕРХНЕВОГО ЛЕГУВАННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Ф. О.
dc.contributor.authorГільмутдінова, В. Р.
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.contributor.authorPtashchenko, F. O.
dc.contributor.authorGilmutdinova, V. R.
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorПтащенко, Ф. А.
dc.contributor.authorГильмутдинова, В. Р.
dc.date.accessioned2013-07-18T11:44:02Z
dc.date.available2013-07-18T11:44:02Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractДосліджено вплив тривалої витримки p-n переходів на основі GaAs у вологих парах NH3 з парціальним тиском 12 кПа на їхні характеристики як сенсорів парів води та аміаку. Встановлено, що вказана обробка веде до утворення повільних донорних поверхневих центрів з часом десорбції т=(3,3 ± 0,1) 105с, які суттєво підвищують чутливість сенсорів. Досягнуто порогу чутливості сенсорів до парів аміаку pamin=0,1 Па (що відповідає 1ppm), чутливості 40 нА/ Па до парів NH3 і 25 нА/кПа до папів води. Верхнвмежа області чутливості сенсорів парів аміаку після вказаної обробки складає 200 Па і обумовлена наявністю поверхневих рівнів глибиною 0,18-0,20 еВ. Розширення області чутливості сенсора в результаті обробки дало змогу виявити кілька повільних глибоких поверхневих рівнів у GaAs.uk
dc.description.abstractEffect of a durable exposure of GaAs p-njunctions in dampedNH3 vapors with a partial pressure of12 kPa was investigated on their characteristics as water and ammonia vapors sen¬sors. It was established that such a treatment forms some slow donor surface centers with a desorption time of x=(3.3 ± 0.1)105 s, that significantly enhance the sensitivity of the sensors. A sensitivity threshold to ammonia vapors of — 0,1 Па was reached (that corresponds to 1 ppm), as well a sensitivity of 40nA/Pa to ПН3 vapars and 25nA/kPa to water vapors. Upper limit of the sensors sen¬sitivity range to ammonia vapors after the treatment is of 200 Pa and is due to the presence of some surface levels of 0.18-0.20 eV depth. The widening of the sensitivity range of the sensors as a result of the treatment enabled to establish some slow deep surface levels in GaAs.uk
dc.description.abstractИсследовано влияние длительной выдержки p-n переходов на основе GaAs во влажных парах NH3 с парциальным давлением 12 кПа на их характеристики как сенсоров паров воды и аммиака. Обнаружено, что указанная обработка приводит к образованию медленных донорных поверхностных центров со временем десорбции т=(3,3 ± 0,1) 105с, которые существенно повышают чувствительность сенсоров. Достигнут порог чувствительности сенсоров к парам аммиака pamin=0,1 Па (соответствует 1ppm), чувствительности 40 нА/Па к парам NH3 та 25 нА/кПa к парам воды. Верхняя граница области чувствительности сенсоров паров аммиака после указанной обработки составляет 200Па и обусловлена присутствием поверхностных уровней глубиной 0,18-0,20 эВ. Расширение области чувствительности сенсора в результате обработки дало возможность обнаружить несколько медленных глубоких поверхностных уровней в GaAs.uk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologiesuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/3802
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Т. 10, № 1.
dc.subjectгазовий сенсорuk
dc.subjectчутливістьuk
dc.subjectp-n перехідuk
dc.subjectповерхневе легуванняuk
dc.subjectглибокі рівніuk
dc.subjectпровідний каналuk
dc.subjectgas sensoruk
dc.subjectsensitivityuk
dc.subjectp-n junctionuk
dc.subjectsurface dopinguk
dc.subjectdeep levelsuk
dc.subjectconducting channeluk
dc.subjectгазовый сенсорuk
dc.subjectчувствительностьuk
dc.subjectp-n переходuk
dc.subjectповерхностное легирование,uk
dc.subjectглубокие уровниuk
dc.subjectпроводящий каналuk
dc.titleВПЛИВ ПОВЕРХНЕВОГО ЛЕГУВАННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВuk
dc.title.alternativeEFFECT OF SURFACE DOPING ON THE CHARACTERISTICS OF GaAs P-N JUNCTIONS AS GAS SENSORSuk
dc.title.alternativeВЛИЯНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ЛЕГИРОВАНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДОВ ОСНОВЕ GaAs КАК ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
114-123+.pdf
Розмір:
560.49 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології