ВПЛИВ ПОВЕРХНЕВОГО ЛЕГУВАННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ
Альтернативна назва
EFFECT OF SURFACE DOPING ON THE CHARACTERISTICS OF GaAs P-N JUNCTIONS AS GAS SENSORS
ВЛИЯНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ЛЕГИРОВАНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДОВ ОСНОВЕ GaAs КАК ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВ
ВЛИЯНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ЛЕГИРОВАНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДОВ ОСНОВЕ GaAs КАК ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВ
Вантажиться...
Дата
2013
Автори
Птащенко, Олександр Олександрович
Птащенко, Ф. О.
Гільмутдінова, В. Р.
Ptashchenko, Oleksandr O.
Ptashchenko, F. O.
Gilmutdinova, V. R.
Птащенко, Александр Александрович
Птащенко, Ф. А.
Гильмутдинова, В. Р.
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Досліджено вплив тривалої витримки p-n переходів на основі GaAs у вологих парах NH3 з парціальним тиском 12 кПа на їхні характеристики як сенсорів парів води та аміаку. Встановлено, що вказана обробка веде до утворення повільних донорних поверхневих центрів з часом десорбції т=(3,3 ± 0,1) 105с, які суттєво підвищують чутливість сенсорів. Досягнуто порогу чутливості сенсорів до парів аміаку pamin=0,1 Па (що відповідає 1ppm), чутливості 40 нА/ Па до парів NH3 і 25 нА/кПа до папів води. Верхнвмежа області чутливості сенсорів парів аміаку після вказаної обробки складає 200 Па і обумовлена наявністю поверхневих рівнів глибиною 0,18-0,20 еВ. Розширення області чутливості сенсора в результаті обробки дало змогу виявити кілька повільних глибоких поверхневих рівнів у GaAs.
Effect of a durable exposure of GaAs p-njunctions in dampedNH3 vapors with a partial pressure of12 kPa was investigated on their characteristics as water and ammonia vapors sen¬sors. It was established that such a treatment forms some slow donor surface centers with a desorption time of x=(3.3 ± 0.1)105 s, that significantly enhance the sensitivity of the sensors. A sensitivity threshold to ammonia vapors of — 0,1 Па was reached (that corresponds to 1 ppm), as well a sensitivity of 40nA/Pa to ПН3 vapars and 25nA/kPa to water vapors. Upper limit of the sensors sen¬sitivity range to ammonia vapors after the treatment is of 200 Pa and is due to the presence of some surface levels of 0.18-0.20 eV depth. The widening of the sensitivity range of the sensors as a result of the treatment enabled to establish some slow deep surface levels in GaAs.
Исследовано влияние длительной выдержки p-n переходов на основе GaAs во влажных парах NH3 с парциальным давлением 12 кПа на их характеристики как сенсоров паров воды и аммиака. Обнаружено, что указанная обработка приводит к образованию медленных донорных поверхностных центров со временем десорбции т=(3,3 ± 0,1) 105с, которые существенно повышают чувствительность сенсоров. Достигнут порог чувствительности сенсоров к парам аммиака pamin=0,1 Па (соответствует 1ppm), чувствительности 40 нА/Па к парам NH3 та 25 нА/кПa к парам воды. Верхняя граница области чувствительности сенсоров паров аммиака после указанной обработки составляет 200Па и обусловлена присутствием поверхностных уровней глубиной 0,18-0,20 эВ. Расширение области чувствительности сенсора в результате обработки дало возможность обнаружить несколько медленных глубоких поверхностных уровней в GaAs.
Effect of a durable exposure of GaAs p-njunctions in dampedNH3 vapors with a partial pressure of12 kPa was investigated on their characteristics as water and ammonia vapors sen¬sors. It was established that such a treatment forms some slow donor surface centers with a desorption time of x=(3.3 ± 0.1)105 s, that significantly enhance the sensitivity of the sensors. A sensitivity threshold to ammonia vapors of — 0,1 Па was reached (that corresponds to 1 ppm), as well a sensitivity of 40nA/Pa to ПН3 vapars and 25nA/kPa to water vapors. Upper limit of the sensors sen¬sitivity range to ammonia vapors after the treatment is of 200 Pa and is due to the presence of some surface levels of 0.18-0.20 eV depth. The widening of the sensitivity range of the sensors as a result of the treatment enabled to establish some slow deep surface levels in GaAs.
Исследовано влияние длительной выдержки p-n переходов на основе GaAs во влажных парах NH3 с парциальным давлением 12 кПа на их характеристики как сенсоров паров воды и аммиака. Обнаружено, что указанная обработка приводит к образованию медленных донорных поверхностных центров со временем десорбции т=(3,3 ± 0,1) 105с, которые существенно повышают чувствительность сенсоров. Достигнут порог чувствительности сенсоров к парам аммиака pamin=0,1 Па (соответствует 1ppm), чувствительности 40 нА/Па к парам NH3 та 25 нА/кПa к парам воды. Верхняя граница области чувствительности сенсоров паров аммиака после указанной обработки составляет 200Па и обусловлена присутствием поверхностных уровней глубиной 0,18-0,20 эВ. Расширение области чувствительности сенсора в результате обработки дало возможность обнаружить несколько медленных глубоких поверхностных уровней в GaAs.
Опис
Ключові слова
газовий сенсор, чутливість, p-n перехід, поверхневе легування, глибокі рівні, провідний канал, gas sensor, sensitivity, p-n junction, surface doping, deep levels, conducting channel, газовый сенсор, чувствительность, p-n переход, поверхностное легирование,, глубокие уровни, проводящий канал
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies