Tunnel surface recombination in p—n junctions

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.contributor.authorPtashchenko, Fedir O.
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.date.accessioned2018-06-01T13:49:02Z
dc.date.available2018-06-01T13:49:02Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractCurrent—voltage curves were measured on AlGaAs-GaAs laser double heterostructures at temperatures of 77...300 K. The exponential sections of I—V curves correspond to the ideality factor nt < 2 at room temperature, which increases with lowering temperature. The I—V curves of surface recombination current were calculated under assumptions that: a) majority carriers tunneled to the surface and were captured to surface states; b) minority carriers were captured by surface states «classically»; c) the change in quasi Fermi level for minority carriers in surface depletion channel linearly depended on the surface barrier height. The obtained expression for I—V curves explains the features of measured current-voltage characteristics of laser heterostructures.uk
dc.identifierUDC 621.319
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16446
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 10.
dc.subjectdiodeuk
dc.subjectelectronuk
dc.subjecttheoreticallyuk
dc.subjectFermiuk
dc.titleTunnel surface recombination in p—n junctionsuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
69-71.pdf
Розмір:
154.57 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics