Photoelectric properties of the structure Cr-ZnSe Schottky barrier

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorChebanenko, Anatoliy P.
dc.contributor.authorStupak, Oleksandra E.
dc.contributor.authorЧебаненко, Анатолій Павлович
dc.contributor.authorСтупак, Олександра Едуардівна
dc.contributor.authorЧебаненко, Анатолий Павлович
dc.contributor.authorСтупак, Александра Эдуардовна
dc.date.accessioned2015-02-05T12:48:27Z
dc.date.available2015-02-05T12:48:27Z
dc.date.issued2014
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2014. - англ.uk
dc.description.abstractExplored the structures based on the ZnSe single crystal with a semitransparent layer of chromi¬um. The current-voltage and capacitance-voltage characteristics of the structures indicate that Cr- ZnSe contact is a lock and close in its properties to the Schottky barrier. The calculated equilibrium barrier height is 1.22 eV. In the structures in the reverse biased direction to the detected occurrence of photosensitivity wavelength region of the spectrum up to 230 nm wavelength. This is due to the deterioration of conditions for the recombination of photoexited carriers in fast recombination centers in a strong electric field in the surface region of the reverse bias pin barrier. Calculated from critical frequency of the photocurrent spectrum contact barrier height value of 1.18 eV goes with the results obtained from the C-V characteristics.uk
dc.description.abstractДосліджено структури на основі монокристалів ZnSe з напівпрозорим шаром хрому. Вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики структур свідчать, що контакт Cr-ZnSe є запірним та близьким за своїми властивостями до бар’єру Шоттки. Розрахована рівноважна висота бар’єру складає 1,22 еВ. В структурах, зміщених у зворотньому напрямку, виявлено виникнення фоточутливості в короткохвильовій області спектру аж до довжини хвилі 230 нм. Це зумовлено погіршенням умов для рекомбінації фотозбуджених носіїв на центрах швидкої рекомбінації в сильному електричному полі у приповерхневому шарі зворотньо зміщеного контактного бар’єру. Розраховане із довгохвильової межі спектру фотоструму значення висоти контактного бар’єру 1,18еВ добре узгоджується з результатами, отриманими із С-V характеристик.uk
dc.description.abstractИсследованы структуры нас основе монокристаллов ZnSe с полупрозрачным слоем хрома. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики структур свидетельствуют, что контакт Cr- ZnSe является запорным и близким по своим свойствам к барьеру Шоттки. Рассчитанная равно-весная высота барьера составляет 1,22 эВ. В структурах, смещенных в обратном направлении, обнаружено появление фоточувствительности в коротковолновой области спектра вплоть до длины волны 230 нм. Это связано с ухудшением условий для рекомбинации фотовозбужденных носителей на центрах быстрой рекомбинации в сильном электрическом поле в приповерх-ностной области обратно смещенного контактного барьера. Рассчитанное из длинноволновой границы спектра фототока значение высоты контактного барьера 1,18 эВ хорошо согласуется с результатами, полученными из C-V характеристик.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/5747
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдесский национальный университет имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 23, р. 17-21.
dc.subjectSchottky barrieruk
dc.subjectUV receiveruk
dc.subjectphotosensitivityuk
dc.subjectfast recombination centersuk
dc.subjectбар ’єр Шотткиuk
dc.subjectУФ-приймачuk
dc.subjectфоточутливістьuk
dc.subjectцентри швидкої рекомбінаціїuk
dc.subjectбарьер Шотткиuk
dc.subjectУФ-приемникuk
dc.subjectфоточувствительностьuk
dc.subjectцентры быстрой рекомбинацииuk
dc.titlePhotoelectric properties of the structure Cr-ZnSe Schottky barrieruk
dc.title.alternativeФотоелектричні властивості структур Cr-ZnSe з бар’єром Шотткиuk
dc.title.alternativeФотоэлектрические свойства структур Cr-ZnSe с барьером Шотткиuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
17-21+.pdf
Розмір:
257.68 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics