Photoelectric properties of the structure Cr-ZnSe Schottky barrier
Вантажиться...
Дата
2014
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова
Анотація
Explored the structures based on the ZnSe single crystal with a semitransparent layer of chromi¬um. The current-voltage and capacitance-voltage characteristics of the structures indicate that Cr- ZnSe contact is a lock and close in its properties to the Schottky barrier. The calculated equilibrium barrier height is 1.22 eV. In the structures in the reverse biased direction to the detected occurrence of photosensitivity wavelength region of the spectrum up to 230 nm wavelength. This is due to the deterioration of conditions for the recombination of photoexited carriers in fast recombination centers in a strong electric field in the surface region of the reverse bias pin barrier. Calculated from critical frequency of the photocurrent spectrum contact barrier height value of 1.18 eV goes with the results obtained from the C-V characteristics.
Досліджено структури на основі монокристалів ZnSe з напівпрозорим шаром хрому. Вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики структур свідчать, що контакт Cr-ZnSe є запірним та близьким за своїми властивостями до бар’єру Шоттки. Розрахована рівноважна висота бар’єру складає 1,22 еВ. В структурах, зміщених у зворотньому напрямку, виявлено виникнення фоточутливості в короткохвильовій області спектру аж до довжини хвилі 230 нм. Це зумовлено погіршенням умов для рекомбінації фотозбуджених носіїв на центрах швидкої рекомбінації в сильному електричному полі у приповерхневому шарі зворотньо зміщеного контактного бар’єру. Розраховане із довгохвильової межі спектру фотоструму значення висоти контактного бар’єру 1,18еВ добре узгоджується з результатами, отриманими із С-V характеристик.
Исследованы структуры нас основе монокристаллов ZnSe с полупрозрачным слоем хрома. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики структур свидетельствуют, что контакт Cr- ZnSe является запорным и близким по своим свойствам к барьеру Шоттки. Рассчитанная равно-весная высота барьера составляет 1,22 эВ. В структурах, смещенных в обратном направлении, обнаружено появление фоточувствительности в коротковолновой области спектра вплоть до длины волны 230 нм. Это связано с ухудшением условий для рекомбинации фотовозбужденных носителей на центрах быстрой рекомбинации в сильном электрическом поле в приповерх-ностной области обратно смещенного контактного барьера. Рассчитанное из длинноволновой границы спектра фототока значение высоты контактного барьера 1,18 эВ хорошо согласуется с результатами, полученными из C-V характеристик.
Досліджено структури на основі монокристалів ZnSe з напівпрозорим шаром хрому. Вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики структур свідчать, що контакт Cr-ZnSe є запірним та близьким за своїми властивостями до бар’єру Шоттки. Розрахована рівноважна висота бар’єру складає 1,22 еВ. В структурах, зміщених у зворотньому напрямку, виявлено виникнення фоточутливості в короткохвильовій області спектру аж до довжини хвилі 230 нм. Це зумовлено погіршенням умов для рекомбінації фотозбуджених носіїв на центрах швидкої рекомбінації в сильному електричному полі у приповерхневому шарі зворотньо зміщеного контактного бар’єру. Розраховане із довгохвильової межі спектру фотоструму значення висоти контактного бар’єру 1,18еВ добре узгоджується з результатами, отриманими із С-V характеристик.
Исследованы структуры нас основе монокристаллов ZnSe с полупрозрачным слоем хрома. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики структур свидетельствуют, что контакт Cr- ZnSe является запорным и близким по своим свойствам к барьеру Шоттки. Рассчитанная равно-весная высота барьера составляет 1,22 эВ. В структурах, смещенных в обратном направлении, обнаружено появление фоточувствительности в коротковолновой области спектра вплоть до длины волны 230 нм. Это связано с ухудшением условий для рекомбинации фотовозбужденных носителей на центрах быстрой рекомбинации в сильном электрическом поле в приповерх-ностной области обратно смещенного контактного барьера. Рассчитанное из длинноволновой границы спектра фототока значение высоты контактного барьера 1,18 эВ хорошо согласуется с результатами, полученными из C-V характеристик.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2014. - англ.
Ключові слова
Schottky barrier, UV receiver, photosensitivity, fast recombination centers, бар ’єр Шоттки, УФ-приймач, фоточутливість, центри швидкої рекомбінації, барьер Шоттки, УФ-приемник, фоточувствительность, центры быстрой рекомбинации
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics