ФОТОПРИЕМНИК НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВикулин, И. М.
dc.contributor.authorКурмашев, Ш. Д.
dc.contributor.authorМингалев, В. А.
dc.contributor.authorВікулін, І. М.
dc.contributor.authorКурмашев, Ш. Д.
dc.contributor.authorМінгальов, В. А.
dc.contributor.authorVikulin, I. M.
dc.contributor.authorKurmashev, Sh. D.
dc.contributor.authorMingalov, V. A.
dc.date.accessioned2010-09-08T07:23:45Z
dc.date.available2010-09-08T07:23:45Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractВ работе исследованы характеристики преобразователя света с частотным выходом на основе однопереходного транзистора. Для достижения линейности зависимости частоты от светового потока и повышения фоточувствительности в цепи эмиттера вместо фоторезистора использован полевой транзистор. Расширение спектра фоточувствительности в инфракрасную область может быть достигнуто, если база полевого фототранзистора содержит примеси, создающие глубокие уровни в запрещенной зоне кремния. В роботі досліджено характеристики перетворювачів світла з частотним вихідом на базі одноперехідного транзистору. Для підвищення лінійності залежності частоти від світлового потоку та фоточутливості в колі емітеру замість резистору використано польовий транзистор. Розширення спектру фоточутливості в інфрачервону область може бути досягнено, якщо база польового фототранзистору містить домішки, які створюють глибокі рівні в заборонен ій зоні кремнію. Characteristics of the light converter with the frequency output on the base of the unijunction transistor were investigated. The field-effect transistor instead of resistor in the emitter circuit of the unijunction transistor was used for increase of linear dependence of the frequency for the light stream. Expansion of the photosensitivity spectrum into the infrared region may be arrived if the base of the field-effect transistor contains the dopants which made the deep level in the band gap of silicon.uk
dc.identifier.citationSensor Electronics and Microsystem Technologiesuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/215
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseriesВип. 4. - С. 28 - 30.
dc.subjectфотоприемникиuk
dc.subjectоднопереходный транзисторuk
dc.subjectполевой транзисторuk
dc.subjectфотоприймачіuk
dc.subjectодноперехідний транзисторuk
dc.subjectпольовий транзисторuk
dc.subjectphotodetectorsuk
dc.subjectunijunction transistoruk
dc.subjectfield-effect transistoruk
dc.titleФОТОПРИЕМНИК НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВuk
dc.title.alternativeФОТОПРИЙМАЧ НА БАЗІ ОДНОПЕРЕХІДНОГО ТА ПОЛЬОВОГО ФОТОТРАНЗИСТОРІВuk
dc.title.alternativePHOTODETECTOR ON THE BASE OF UNIJUNCTION AND FIELD-EFFECT PHOTOTRANSISTORSuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
sens4_06_28-30.pdf.pdf
Розмір:
67.91 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології