ФОТОПРИЕМНИК НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ
Вантажиться...
Дата
2006
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
В работе исследованы характеристики преобразователя света с частотным выходом на
основе однопереходного транзистора. Для достижения линейности зависимости частоты от
светового потока и повышения фоточувствительности в цепи эмиттера вместо фоторезистора
использован полевой транзистор. Расширение спектра фоточувствительности в инфракрасную
область может быть достигнуто, если база полевого фототранзистора содержит
примеси, создающие глубокие уровни в запрещенной зоне кремния. В роботі досліджено характеристики перетворювачів світла з частотним вихідом на базі
одноперехідного транзистору. Для підвищення лінійності залежності частоти від світлового
потоку та фоточутливості в колі емітеру замість резистору використано польовий транзистор.
Розширення спектру фоточутливості в інфрачервону область може бути досягнено,
якщо база польового фототранзистору містить домішки, які створюють глибокі рівні в заборонен
ій зоні кремнію. Characteristics of the light converter with the frequency output on the base of the unijunction transistor
were investigated. The field-effect transistor instead of resistor in the emitter circuit of the unijunction
transistor was used for increase of linear dependence of the frequency for the light stream.
Expansion of the photosensitivity spectrum into the infrared region may be arrived if the base of the
field-effect transistor contains the dopants which made the deep level in the band gap of silicon.
Опис
Ключові слова
фотоприемники, однопереходный транзистор, полевой транзистор, фотоприймачі, одноперехідний транзистор, польовий транзистор, photodetectors, unijunction transistor, field-effect transistor
Бібліографічний опис
Sensor Electronics and Microsystem Technologies