Влияние парциального давления кислорода в технологической камере на электронные свойства и адсорбционную чувствительность к кислороду тонких слоев селенида кадмия

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВашпанов, Юрий Александрович
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич
dc.date.accessioned2018-05-31T08:08:20Z
dc.date.available2018-05-31T08:08:20Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractРост давления кислорода в технологической камере при конденсации полупроводниковых пленок селенида кадмия приводит к увеличению проводимости образцов на 8 порядков величины, изменению кристаллической структуры материала и появлению кластеров кадмия на их поверхности. Чувствительность к кислороду имеет максимальное значение при давлениях порядка 0,1 Ра. Обсуждается физический механизм изменения электронных свойств и адсорбционной чувствительности к кислороду полученных слоев.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.uriУДК 621.315.592
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16364
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вып. 8.
dc.subjectдавление кислородаuk
dc.subjectтехнологическая камераuk
dc.subjectселенид кадмияuk
dc.subjectконденсация полупроводниковых пленок селенида кадмияuk
dc.subjectувеличение проводимостиuk
dc.titleВлияние парциального давления кислорода в технологической камере на электронные свойства и адсорбционную чувствительность к кислороду тонких слоев селенида кадмияuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
с.3-5.pdf
Розмір:
144.1 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics