Влияние парциального давления кислорода в технологической камере на электронные свойства и адсорбционную чувствительность к кислороду тонких слоев селенида кадмия
Вантажиться...
Файли
Дата
1999
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Рост давления кислорода в технологической камере при конденсации полупроводниковых пленок селенида кадмия приводит к увеличению проводимости образцов на 8 порядков величины, изменению кристаллической структуры материала и появлению кластеров кадмия на их поверхности. Чувствительность к кислороду имеет максимальное значение при давлениях порядка 0,1 Ра. Обсуждается физический механизм изменения электронных свойств и адсорбционной чувствительности к кислороду полученных слоев.
Опис
Ключові слова
давление кислорода, технологическая камера, селенид кадмия, конденсация полупроводниковых пленок селенида кадмия, увеличение проводимости
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics