Механизмы рассеяния электронов в кристаллах селенида цинка, легированных индием

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВаксман, Юрий Федорович
dc.contributor.authorВашпанов, Юрий Александрович
dc.contributor.authorНицук, Ю. А.
dc.contributor.authorПуртов, Ю. Н.
dc.contributor.authorШапкин, П. В.
dc.date.accessioned2018-01-31T12:47:02Z
dc.date.available2018-01-31T12:47:02Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractДосліджено температурну залежність с.р.с. Холла в кристалах ZnSe:In+Zn. Розраховано концентрацію електронів па їх рухомість в інтервалі температур 120^-400 К. Виявлено зменшення енергії активації донорів Гп^,, від 26 т еВ ( в кристалах ZnSe:In ) до 11 т еВ (в крисга- лах ZnSe:In+Zn), обумовлене екрануванням іонів донорних домішок вільними електронами. Встановлено, що розсіяння електронів в досліджуваних кристалах спричиняється повздовжніми LO-фононами та макродефектами індію.uk
dc.description.abstractИсследована температурная зависимость э.д.с. Холла в кристаллах ZnSe:In+Zn. Рассчитаны концентрация электронов и их подвижность в интервале те.мператур 120-^400 К. Обнаружено уменьшение энергии активации доноров In^n от 26 т эВ ( в кристаллах ZnSe:In ) до 11 т эВ (в кристаллах ZnSe:In-t-Zn), обусловленное экранированием ионов донорных примесей свободными электронами. Показано, что рассеяние электронов в исследуемых кристаллах обусловлено продольными LO-фононами и макродефектами индия.uk
dc.description.abstractThe temperature dependence o f the Hail electromotive force in ZnSe:In-i-Zn crystals is investigated. Are calculated an electron concentration and their mobility in temperature range 120-5-400 K. The decrease o f an activation energy o f the donors In^n from 26 meV ( in ZnSe:In crystals ) to llm eV (in ZnSe:In-HZn crystals) stipulated by screening of ions o f donor impurities by free electrons is revealed. Is exhibited that longitudinal LO-phonons and macrodefects o f indium stipulate the scattering o f electrons in investigated cry'stals.uk
dc.identifierУДК 621.315.592
dc.identifier.citationВісник Одеського національного університету = Odesa National University Heralduk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/12655
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseriesФізико-математичні науки;Т. 5, вип. 3.
dc.subjectМеханизмы рассеяния электроновuk
dc.subjectКристаллы селенида цинкаuk
dc.subjectЛегирование индиемuk
dc.titleМеханизмы рассеяния электронов в кристаллах селенида цинка, легированных индиемuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
174-178-1.pdf
Розмір:
132.19 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Дослiдження в математицi i механiцi