Механизмы рассеяния электронов в кристаллах селенида цинка, легированных индием
Вантажиться...
Дата
2000
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Досліджено температурну залежність с.р.с. Холла в кристалах ZnSe:In+Zn. Розраховано
концентрацію електронів па їх рухомість в інтервалі температур 120^-400 К. Виявлено зменшення
енергії активації донорів Гп^,, від 26 т еВ ( в кристалах ZnSe:In ) до 11 т еВ (в крисга-
лах ZnSe:In+Zn), обумовлене екрануванням іонів донорних домішок вільними електронами.
Встановлено, що розсіяння електронів в досліджуваних кристалах спричиняється повздовжніми
LO-фононами та макродефектами індію.
Исследована температурная зависимость э.д.с. Холла в кристаллах ZnSe:In+Zn. Рассчитаны концентрация электронов и их подвижность в интервале те.мператур 120-^400 К. Обнаружено уменьшение энергии активации доноров In^n от 26 т эВ ( в кристаллах ZnSe:In ) до 11 т эВ (в кристаллах ZnSe:In-t-Zn), обусловленное экранированием ионов донорных примесей свободными электронами. Показано, что рассеяние электронов в исследуемых кристаллах обусловлено продольными LO-фононами и макродефектами индия.
The temperature dependence o f the Hail electromotive force in ZnSe:In-i-Zn crystals is investigated. Are calculated an electron concentration and their mobility in temperature range 120-5-400 K. The decrease o f an activation energy o f the donors In^n from 26 meV ( in ZnSe:In crystals ) to llm eV (in ZnSe:In-HZn crystals) stipulated by screening of ions o f donor impurities by free electrons is revealed. Is exhibited that longitudinal LO-phonons and macrodefects o f indium stipulate the scattering o f electrons in investigated cry'stals.
Исследована температурная зависимость э.д.с. Холла в кристаллах ZnSe:In+Zn. Рассчитаны концентрация электронов и их подвижность в интервале те.мператур 120-^400 К. Обнаружено уменьшение энергии активации доноров In^n от 26 т эВ ( в кристаллах ZnSe:In ) до 11 т эВ (в кристаллах ZnSe:In-t-Zn), обусловленное экранированием ионов донорных примесей свободными электронами. Показано, что рассеяние электронов в исследуемых кристаллах обусловлено продольными LO-фононами и макродефектами индия.
The temperature dependence o f the Hail electromotive force in ZnSe:In-i-Zn crystals is investigated. Are calculated an electron concentration and their mobility in temperature range 120-5-400 K. The decrease o f an activation energy o f the donors In^n from 26 meV ( in ZnSe:In crystals ) to llm eV (in ZnSe:In-HZn crystals) stipulated by screening of ions o f donor impurities by free electrons is revealed. Is exhibited that longitudinal LO-phonons and macrodefects o f indium stipulate the scattering o f electrons in investigated cry'stals.
Опис
Ключові слова
Механизмы рассеяния электронов, Кристаллы селенида цинка, Легирование индием
Бібліографічний опис
Вісник Одеського національного університету = Odesa National University Herald