СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И НЕЙТРОНОВ НА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМокрицкий, В. А.
dc.contributor.authorЗавадский, В. А.
dc.contributor.authorЛенков, С. В.
dc.contributor.authorЛепих, Ярослав Ильич
dc.contributor.authorБанзак, О. В.
dc.contributor.authorMokritsky, V. A.
dc.contributor.authorZavadsky, V. A.
dc.contributor.authorLenkov, S. V.
dc.contributor.authorLepikh, Yaroslav I.
dc.contributor.authorBanzak, O. V.
dc.contributor.authorМокрицький, В. А.
dc.contributor.authorЗавадський, В. А.
dc.contributor.authorЛєнков, С. В.
dc.contributor.authorЛепіх, Ярослав Ілліч
dc.contributor.authorБанзак, О. В.
dc.date.accessioned2010-09-08T10:57:06Z
dc.date.available2010-09-08T10:57:06Z
dc.date.issued2009
dc.descriptionСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2009.uk
dc.description.abstractИсследованы радиационные эффекты, возникающие в эпитаксиальных слоях арсенида галлия при облучении быстрыми электронами и нейтронами. Проведен сравнительный анализ их влияния на электрофизические параметры соединения GaAs. The radiating effects arising in epitaxial layers of gallium arsenide at an irradiation fast electrons and neutrons are investigated. The comparison analyses of their influence on electrophysical parameters of compound GaAs. Досліджені радіаційні ефекти, що виникають в епітаксіальних шарах арсені- ду галія при опроміненні швидкими електронами і нейтронами. Проведено порівняльний аналіз їх впливу на електрофізичні параметри сполуки GaAs.uk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystemuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/230
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 4. - С. 51 - 54.
dc.subjectрадиацияuk
dc.subjectэпитаксиальный слойuk
dc.subjectрадиационная стойкостьuk
dc.subjectарсенид галлияuk
dc.subjectradiationuk
dc.subjectepitaxial layeruk
dc.subjectradiating resistanceuk
dc.subjectgallium arsenideuk
dc.subjectрадіаціяuk
dc.subjectепітаксійний шарuk
dc.subjectрадіаційна стійкістьuk
dc.subjectарсенід галіяuk
dc.titleСРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И НЕЙТРОНОВ НА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯuk
dc.title.alternativeTHE COMPARISON ANALYSES OF THE INFLUENCE OF THE POWER ELECTRONS AND NEUTRONS EFFECTS IN EPITAXIAL LAYERS OF GALLIUM ARSENIDEuk
dc.title.alternativeПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ВПЛИВУ ШВИДКИХ ЕЛЕКТРОНІВ І НЕЙТРОНІВ НА ЕПІТАКСІЙНІ ШАРИ АРСЕНІДУ ГАЛІЯuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
sens4_09_51-54.pdf.pdf
Розмір:
91.06 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології