СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И НЕЙТРОНОВ НА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
Вантажиться...
Дата
2009
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Исследованы радиационные эффекты, возникающие в эпитаксиальных слоях
арсенида галлия при облучении быстрыми электронами и нейтронами. Проведен сравнительный
анализ их влияния на электрофизические параметры соединения GaAs. The radiating effects arising in epitaxial layers of gallium arsenide at an irradiation fast
electrons and neutrons are investigated. The comparison analyses of their influence on electrophysical
parameters of compound GaAs. Досліджені радіаційні ефекти, що виникають в епітаксіальних шарах арсені-
ду галія при опроміненні швидкими електронами і нейтронами. Проведено порівняльний
аналіз їх впливу на електрофізичні параметри сполуки GaAs.
Опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2009.
Ключові слова
радиация, эпитаксиальный слой, радиационная стойкость, арсенид галлия, radiation, epitaxial layer, radiating resistance, gallium arsenide, радіація, епітаксійний шар, радіаційна стійкість, арсенід галія
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem