EVOLUTION OF STRUCTURAL DEFECTS IN SILICON CAUSED BY HIGH-TEMPERATURE OXIDATION

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorIatsunskyi, Igor R.
dc.contributor.authorЯцунский, Игорь Ростиславович
dc.contributor.authorЯцунський, Ігор Ростиславович
dc.date.accessioned2013-03-12T11:36:33Z
dc.date.available2013-03-12T11:36:33Z
dc.date.issued2012
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2012. - англ.uk
dc.description.abstractThe dislocation self-organization processes in near-surface silicon layers of Si-SiO2 during high temperature oxidization have been investigated. It was observed the complex destruction of these layers caused by relaxation of mechanical stresses. We have proposed the defect formation mechanism of near-surface layers in Si-SiO2 structure. For self-organization processes to be explained, the synergetic method was applied. It was shown that the formation of periodical dislocation structures at the interface is a consequence of the spatial instability of the dislocation distribution in the crystal, their self-organization due to correlation effects between the oxygen diffusing along structural defects and an ensemble of dislocationsuk
dc.description.abstractПроцессы самоорганизации дислокаций в приповерхностных слоев кремния в Si-Si02 при высокотемпературном окислении были исследованы в данной работе. Было определено, что появление сложной дефектной структуры вызвано релаксацией механических напряжений. Было предложено механизм образования дефектов в приповерхностных слоях Si-Si02. Процессы самоорганизации объясняется, в рамках синергетического метода. Было показано, что формирование периодической структуры дислокации на границе является следствием пространственной неустойчивости распределения дислокаций в кристалле, их самоорганизации за счет корреляций между кислородом, который распространяется вдоль структурных дефектов и ансамбля дислокацийuk
dc.description.abstractПроцеси самоорганізації дислокацій в приповерхневих шарів кремнію в Si-Si02 при високотемпературному окисленні були досліджені в даній роботі. Було визначено, що поява складної дефектної структури викликано релаксацією механічних напружень. Було запропоновано механізм утворення дефектів у приповерхневих шарах Si-Si02. Процеси самоорганізації пояснюється, в рамках синергетичного методу. Було показано, що формування періодичної структури дислокації на границі є наслідком просторової нестійкості розподілу дислокацій в кристалі, їх самоорганізації за рахунок кореляцій між киснем, що поширюється уздовж структурних дефектів та ансамблю дислокаційuk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/3391
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдесский национальный университете имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 21, p.43-49
dc.subjectdislocationsuk
dc.subjectself-organizationuk
dc.subjectSi-SiO2 structureuk
dc.subjectдислокацииuk
dc.subjectсамоорганизацияuk
dc.subjectструктура Si-Si02uk
dc.subjectдислокаціїuk
dc.subjectсамоорганізаціяuk
dc.subjectструктура Si-Si02uk
dc.titleEVOLUTION OF STRUCTURAL DEFECTS IN SILICON CAUSED BY HIGH-TEMPERATURE OXIDATIONuk
dc.title.alternativeЭВОЛЮЦИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИ, ВЫЗВАННОЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫМ ОКИСЛЕНИЕМuk
dc.title.alternativeЕВОЛЮЦИЯ СТРУКТУРНИХ ДЕФЕКТІВ В КРЕМНІЇ, ЯКЕ ВИКЛИКАНЕ ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНИМ ОКИСЛЕННЯМuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Fotoelectronika_21.43-49.pdf
Розмір:
551.84 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics