Инжекция неосновных носителей заряда в поверхностно-барьерных структурах на основе Sі : Au

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКурмашев, Шамиль Джамашевич
dc.contributor.authorВикулин, Иван Михайлович
dc.contributor.authorСидорец, Р. Г.
dc.contributor.authorСофронков, А. Н.
dc.date.accessioned2018-06-04T09:55:43Z
dc.date.available2018-06-04T09:55:43Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractОбсуждается инжекция носителей заряда в поверхностно-барьерных структурах Ni-Sі : Au при прямом смещении в приближении термоэлектронной эмиссии — диффузии Показано, что коэффициент инжекции у может быть достаточно большим при на­личии диэлектрической прослойки (Sі О2) между металлом и полупроводником. Повыше­ние удельного сопротивления исходного материала и снижение температуры так же собствует росту у.uk
dc.identifierУДК 621.382
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16480
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вып. 11.
dc.subjectинжекцияuk
dc.subjectдиффузияuk
dc.subjectкоэффициентuk
dc.subjectдиэлектрическая прослойкаuk
dc.titleИнжекция неосновных носителей заряда в поверхностно-барьерных структурах на основе Sі : Auuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
21-23.pdf
Розмір:
161.96 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics