Инжекция неосновных носителей заряда в поверхностно-барьерных структурах на основе Sі : Au
Вантажиться...
Дата
2002
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Обсуждается инжекция носителей заряда в поверхностно-барьерных структурах
Ni-Sі : Au при прямом смещении в приближении термоэлектронной эмиссии — диффузии
Показано, что коэффициент инжекции у может быть достаточно большим при наличии
диэлектрической прослойки (Sі О2) между металлом и полупроводником. Повышение
удельного сопротивления исходного материала и снижение температуры так же собствует
росту у.
Опис
Ключові слова
инжекция, диффузия, коэффициент, диэлектрическая прослойка
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics